گزارشها حاکی از آن است که چین با کمک چند تن از کارمندان سابق شرکت ASML، موفق به مهندسی معکوس و ساخت اولین دستگاه لیتوگرافی فرابنفش فرین (EUV) خود با هدف تولید تراشه شده است. اگرچه این دستگاه هنوز کاملاً عملیاتی نیست و انتظار میرود تا سال ۲۰۲۸ یا حتی ۲۰۳۰ به تولید انبوه تراشه نرسد، اما این یک پیشرفت چشمگیر در صنعت تراشهسازی این کشور محسوب میشود.
بر اساس گزارش رویترز، چین در یک آزمایشگاه در شهر شنزن و با کمک چندین مهندس سابق شرکت هلندی ASML، موفق به توسعه یک دستگاه لیتوگرافی فرابنفش فرین (Extreme Ultraviolet – EUV) شده است. این توسعه، شایعات قبلی را تأیید میکند و یک موفقیت استراتژیک در تواناییهای تراشهسازی چین محسوب میشود که بهطور بالقوه به شرکتهای چینی مانند SMIC امکان میدهد تراشههای پیشرفتهای تولید کنند که با محصولات TSMC، اینتل و سامسونگ رقابت کنند. گفته میشود این پروژه کاملاً محرمانه بوده و مهندسان سابق ASML تحت نامهای مستعار فعالیت میکردند.
بااینحال، این دستگاه EUV هنوز قادر به تولید تراشه نیست. انتظار میرود این دستگاه تا سال ۲۰۲۸ یا حتی ۲۰۳۰ بهطور کامل عملیاتی شود. تا آن زمان، رقبای اصلی بهاحتمالزیاد به high-NA EUV، نسل بعدی فناوری لیتوگرافی توسعهیافته توسط ASML، مهاجرت کردهاند. علاوهبر این، افزایش مقیاس تولید برای چین چالشبرانگیز خواهد بود، زیرا بهدلیل عدم پشتیبانی رسمی ASML، مجبور است همه چیز را در داخل کشور تولید کند. همچنین، چین برای تأمین قطعات باید به سراغ قطعات دستدوم از تأمینکنندگانی مانند نیکون و کانن برود.
نمونه اولیه دستگاه تولید تراشه EUV چین
تاکنون، چین مجبور بود به دستگاههای نسل قبل یعنی DUV (فرابنفش عمیق) تکیه کند؛ تنها دستگاههایی که میتوانست بهصورت قانونی از ASML تهیه کند. شرکت SMIC با فرآیند N+3 خود، فناوری DUV را با تولید تراشههایی در کلاس ۵ نانومتر مانند Kirin 9030 به فراتر از محدودیتهایش رساند. حتی یک پتنت بعدی، به امکان رساندن این فناوری به ۲ نانومتر اشاره داشت. بااینحال، با دستیابی به فناوری EUV، بهدلیل پیچیدگی و بازده بسیار پایین روشهای مبتنیبر DUV، احتمالاً دیگر نیازی به آن نخواهد بود.
بهنظر شما آیا چین میتواند این فاصله فناوری را در سالهای آینده جبران کند؟
