سامسونگ در رویداد GMIF 2026 چین از جدیدترین دستاوردهای خود در صنعت حافظه رونمایی کرد. مهم‌ترین محصول این شرکت، کوچک‌ترین حافظه SSD سازمانی ۲۵۶ ترابایتی جهان است که برای پاسخ‌گویی به نیازهای روبه‌رشد مراکز داده و زیرساخت‌های هوش مصنوعی توسعه یافته است. سامسونگ همچنین فناوری V-NAND با بیش از ۴۰۰ لایه و معماری جدید zNAND-O را به‌نمایش گذاشت.
🔷 سامسونگ کوچک‌ترین حافظه SSD سازمانی ۲۵۶ ترابایتی جهان را در رویداد GMIF 2026 معرفی کرد.
🔷 حافظه V10 BV-NAND سامسونگ از بیش از ۴۰۰ لایه و فناوری اتصال عمودی بهره می‌برد.
🔷 تراکم بیت در نسل جدید V-NAND نزدیک به ۶۰ درصد افزایش یافته است.
🔷 فناوری zNAND-O با هدف دستیابی به تراکم بیت ۱۰ برابری نسبت‌به DRAM توسعه می‌یابد.
🔷 سامسونگ دو SSD سازمانی PM1763 و BM1773 را برای پاسخ‌گویی به نیازهای پردازش هوش مصنوعی معرفی کرد.
سامسونگ در جریان رویداد Global Memory Innovation Forum 2026 که در شهر شنژن چین برگزار شد، مجموعه‌ای از فناوری‌های جدید حافظه و ذخیره‌سازی خود را معرفی کرد. یکی از مهم‌ترین محصولات این رویداد، حافظه SSD سازمانی BM1773 است که با استفاده از فناوری QLC ظرفیت ذخیره‌سازی را به ۲۵۶ ترابایت می‌رساند.
سامسونگ این محصول را کوچک‌ترین SSD سازمانی جهان با چنین ظرفیتی معرفی کرده است. بااین‌حال، جزئیات دقیق ابعاد فیزیکی و فرم‌فاکتور آن هنوز مشخص نیست.
این حافظه برای محیط‌های سازمانی و مراکز داده طراحی شده است؛ جایی که افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی بدون اشغال فضای بیشتر اهمیت زیادی دارد.
سامسونگ علاوه‌بر حافظه ۲۵۶ ترابایتی، دو محصول سازمانی جدید را با هدف پاسخ‌گویی به نیازهای زیرساخت‌های هوش مصنوعی معرفی کرده است. این دو حافظه شامل مدل‌های زیر هستند:
کوین یون (Kevin Yoon)، معاون و مدیر ارشد فناوری بخش حافظه سامسونگ در چین، توضیح داد که این دو محصول برای پاسخ‌گویی به دو نیاز اساسی بازار، یعنی افزایش عملکرد و ظرفیت ذخیره‌سازی، توسعه یافته‌اند. به‌گفته او، گسترش سیستم‌های هوش مصنوعی خودمختار و چندعاملی، نیاز به بازنگری در معماری حافظه را از مراکز داده بزرگ تا دستگاه‌های محلی افزایش داده است.
سامسونگ قصد دارد با استفاده از این SSDها، بخشی از فشار مربوط به مدیریت داده‌ها و حافظه پردازنده‌های گرافیکی را در زیرساخت‌های هوش مصنوعی کاهش دهد.
یکی دیگر از دستاوردهای مهم سامسونگ، معرفی فناوری V10 BV-NAND با بیش از ۴۰۰ لایه حافظه است. سامسونگ برای دستیابی به این تعداد لایه از فناوری اتصال عمودی (Vertical Bonding) استفاده کرده است که امکان افزایش تراکم سلول‌های حافظه را فراهم می‌کند. طبق اطلاعات اعلام‌شده، نسل جدید V-NAND سامسونگ می‌تواند تراکم بیت را نزدیک به ۶۰ درصد نسبت‌به نسل فعلی افزایش دهد.
افزایش تراکم بیت به‌معنای امکان ذخیره اطلاعات بیشتر در فضای فیزیکی مشابه است؛ ویژگی مهمی که می‌تواند به توسعه SSDهای پرظرفیت‌تر و استفاده بهینه‌تر از فضای ذخیره‌سازی کمک کند. این فناوری به‌خصوص برای مراکز داده و سامانه‌های هوش مصنوعی که به ظرفیت ذخیره‌سازی بسیار بالایی نیاز دارند، اهمیت دارد.
🔴 همچنین بخوانید: سامسونگ مسیر ساخت NAND هزار لایه را ترسیم کرد؛ SSDهای ۳۲ ترابایتی در راه‌اند
سامسونگ در کنار فناوری‌های جدید NAND، معماری حافظه zNAND-O را نیز معرفی کرده است؛ فناوری جدیدی که برای استفاده در دستگاه‌های پردازشی محلی و سیستم‌های هوش مصنوعی طراحی می‌شود. یکی از ویژگی‌های مهم zNAND-O، امکان قرارگیری این حافظه در کنار واحدهای پردازشی از طریق رابط UCIe است. این معماری با هدف نزدیک‌ترکردن حافظه به پردازنده و بهبود کارایی دسترسی به داده‌ها توسعه می‌یابد.
سامسونگ اعلام کرده است که zNAND-O با هدف دستیابی به تراکم بیت ۱۰ برابر بیشتر از حافظه DRAM معمولی طراحی شده و درعین‌حال، بهبود بازده خواندن اطلاعات را دنبال می‌کند. البته تراکم بالاتر به‌تنهایی به‌معنای سرعت بیشتر نسبت‌به DRAM نیست و عملکرد واقعی این فناوری به معماری نهایی و نحوه استفاده از آن بستگی خواهد داشت.
درصورت تحقق اهداف سامسونگ، zNAND-O می‌تواند به مدیریت حجم بیشتری از داده‌ها در سیستم‌های هوش مصنوعی کمک کند.
کوین یون در سخنرانی خود تأکید کرد که گسترش هوش مصنوعی خودمختار و سیستم‌های چندعاملی، نیازهای جدیدی در حوزه حافظه و ذخیره‌سازی ایجاد کرده است. چنین سیستم‌هایی برای پردازش حجم زیادی از اطلاعات، به ترکیبی از حافظه‌های سریع و ذخیره‌سازی پرظرفیت نیاز دارند. سامسونگ تلاش می‌کند با توسعه SSDهای سازمانی پرظرفیت، حافظه‌های NAND چندصدلایه و معماری‌هایی مانند zNAND-O، پاسخ‌گوی این نیازها باشد.
این شرکت همچنین در پایان رویداد GMIF 2026، جایزه رهبری برجسته صنعت حافظه و ذخیره‌سازی هوش مصنوعی (Outstanding AI Memory and Storage Industry Leadership Award) را دریافت کرد.
سامسونگ با معرفی SSD سازمانی ۲۵۶ ترابایتی، فناوری V-NAND با بیش از ۴۰۰ لایه و معماری جدید zNAND-O، برنامه‌های خود را برای توسعه نسل بعدی حافظه‌ها گسترش داده است. این فناوری‌ها می‌توانند در آینده به افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی، بهبود بهره‌وری و کاهش محدودیت‌های حافظه در زیرساخت‌های هوش مصنوعی کمک کنند. بااین‌حال، زمان عرضه گسترده و عملکرد نهایی برخی از آن‌ها هنوز مشخص نیست.
به‌نظر شما، حافظه‌های ۲۵۶ ترابایتی و فناوری NAND با بیش از ۴۰۰ لایه چه تأثیری بر آینده مراکز داده و دستگاه‌های مجهز به هوش مصنوعی خواهند داشت؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات با ما به اشتراک بگذارید.
