سامسونگ جزئیات تازهای از برنامه بلندمدت خود برای توسعه NAND هزار لایه منتشر کرده است. این شرکت قصد دارد با اتصال دو ساختار ۴۵۰ لایهای در یک تراشه واحد، حافظههای V-NAND با بیشاز ۹۰۰ تا ۱۰۰۰ لایه تولید کند؛ فناوریای که میتواند ظرفیت SSDهای آینده را تا چند برابر افزایش دهد.
🔷 سامسونگ برای توسعه NAND هزار لایه روی اتصال دو ساختار ۴۵۰ لایهای کار میکند.
🔷 این فناوری میتواند ظرفیت SSDها را تا ۴ برابر افزایش دهد.
🔷 سامسونگ دستیابی به NANDهای ۵۶۰ لایهای را تا سال ۲۰۳۰ هدفگذاری کرده است.
🔷 نسل بعدی V-NAND با فناوری Cell-Multi Bonding توسعه مییابد.
🔷 این فناوری میتواند ظرفیت درایوهای ۸ ترابایتی را به ۳۲ ترابایت برساند.
سامسونگ در جریان سمپوزیوم VLSI 2026 نقشه راه جدید خود برای توسعه حافظههای NAND را تشریح کرد. این شرکت معتقد است رشد سریع هوش مصنوعی، مراکز داده و پردازش ابری نیاز به SSDهای پرظرفیت را بهشدت افزایش داده است.
برهمیناساس، سامسونگ قصد دارد با استفاده از فناوری Cell-Multi Bonding (CMB) دو ساختار مستقل ۴۵۰ لایهای را به یکدیگر متصل کند. نتیجه این فرآیند، تولید تراشههایی با بیشاز ۹۰۰ لایه و درنهایت دستیابی به حافظههای ۱۰۰۰ لایهای در ابتدای دهه آینده خواهد بود.
سامسونگ برنامه زمانی مشخصی برای توسعه نسلهای بعدی NAND ارائه کرده است.
| سال | هدف سامسونگ |
|---|---|
| ۲۰۲۹ | حافظه NAND با ۴۲۰ لایه |
| ۲۰۳۰ | حافظه NAND با بیشاز ۵۶۰ لایه |
| پس از ۲۰۳۰ | حافظه V-NAND با بیشاز ۱۰۰۰ لایه |
افزایش تعداد لایهها بهصورت مستقیم تراکم ذخیرهسازی را بالا میبرد؛ اما درعینحال چالشهای فنی جدیدی نیز ایجاد میکند.
سامسونگ دو تراشه ۴۵۰ لایهای را به هم متصل میکند تا به حافظههای ۱۰۰۰ لایه برسد.
یکی از مهمترین موانع توسعه NANDهای فوقمتراکم، پدیده خمیدگی ویفر (Wafer Warpage) است. هرچه تعداد لایهها بیشتر شود، کنترل ساختار فیزیکی تراشه دشوارتر خواهد شد.
سامسونگ اعلام کرده با توسعه فناوری Upper Chuck Design توانسته این مشکل را تا حد زیادی برطرف کند. همچنین فناوریهای جدید Overlay Correction خطاهای ناشی از عدمهمترازی لایهها را کاهش میدهند و امکان تولید تراشههای پیچیدهتر را فراهم میکنند.
براساس توضیحات ارائهشده، استفاده از دو ساختار ۴۵۰ لایهای در یک تراشه میتواند جهش بزرگی در ظرفیت ذخیرهسازی ایجاد کند.
بهگفته «ایان کاترس» از MoreThanMoore، این فناوری به تولیدکنندگان اجازه میدهد ظرفیت یک SSD هشت ترابایتی QLC را تا حدود ۳۲ ترابایت افزایش دهند. چنین افزایشی برای مراکز داده، سیستمهای هوش مصنوعی و زیرساختهای ابری اهمیت زیادی خواهد داشت.
فناوری جدید سامسونگ میتواند SSDهای ۸ ترابایتی را به ۳۲ ترابایت برساند.
رقابت در بازار NAND هر روز فشردهتر میشود. درحالحاضر SK Hynix با توسعه نخستین NAND با ۳۲۱ لایه یکی از پیشگامان این حوزه محسوب میشود و روی نسل ۴۰۰ لایهای نیز کار میکند.
از سوی دیگر، شرکت چینی YMTC نیز فاصله خود را با بازیگران بزرگ صنعت کاهش داده است. این شرکت هماکنون NANDهای ۲۳۲ و ۲۹۴ لایهای تولید میکند و سرمایهگذاری گستردهای برای افزایش ظرفیت تولید انجام داده است.
رشد تقاضا برای زیرساختهای هوش مصنوعی باعث شده بازار حافظههای NAND وارد مرحله جدیدی از رقابت شود و تولیدکنندگان بزرگ برای دستیابی به تراکم بالاتر و ظرفیت بیشتر تلاش کنند.
فناوری اتصال دو ساختار NAND برای دستیابی به بیشاز ۹۰۰ لایه هنوز در مرحله نمونه اولیه قرار دارد. بااینحال، سامسونگ اعلام کرده هدف نهایی آن عرضه حافظههای V-NAND هزار لایه در حدود سال ۲۰۳۰ میلادی (۹ دی ۱۴۰۸) است.
پیش از آن نیز نسلهای ۴۰۰ و ۵۰۰ لایهای طی چند سال آینده وارد بازار خواهند شد و مسیر را برای جهش بزرگ بعدی در صنعت ذخیرهسازی هموار میکنند.
سامسونگ با تکیهبر فناوری Cell-Multi Bonding بهدنبال عبور از مرز ۱۰۰۰ لایه در حافظههای NAND است. اگر این برنامه مطابق نقشه راه پیش برود، SSDهای آینده میتوانند ظرفیتهایی چندین برابر نسل فعلی ارائه دهند و نیاز روزافزون مراکز داده و کاربردهای هوش مصنوعی را پاسخ دهند.
بهنظر شما SSDهای ۳۲ ترابایتی تا چه اندازه میتوانند آینده رایانش ابری، هوش مصنوعی و ذخیرهسازی شخصی را تغییر دهند؟
با عضویت در شبکههای اجتماعی ترنجی از آخرین اخبار فناوری باخبر شوید!
