غول کره‌ای Samsung Electronics تولید انبوه اولین تراشه 3 نانومتری خود را از تاریخ 9 تیر ماه 1401 آغاز کرد تا در رقابت با TSMC پیشرو باشد. این شرکت اکنون مراسم رونمایی از این محصولات را در سومین روز از مرداد ماه سال جاری برنامه ریزی کرده است. جایی که از تراشه های 3 نانومتری که پیشرفته ترین در جهان هستند رونمایی خواهد شد.
این تراشه‌های 3 نانومتری مبتنی بر معماری ترانزیستوری Gate-All-Around (GAA) هستند. بنابراین قرار است یک ماه پس از آغاز تولید انبوه آن‌ها در هفته های گذشته، حالا به تمام دنیا معرفی شوند.
منبع گزارش می‌دهد که اولین دسته از تراشه های 3 نانومتری به یک استخراج کننده ارز های دیجیتال چینی تحویل داده می‌شود. بر اساس چندین رسانه خبری ژاپنی و تایوانی، سامسونگ در درازمدت به دلیل وضعیت فعلی بازار ارزهای دیجیتال، چندان به مشتری ارز های دیجیتال چینی خود متکی نیست.
به گزارش منبع، اولین تراشه 3 نانومتری در مرکز تولید تراشه Hwaseong در استان Gyeonggi در این تاریخ معرفی و عرضه می‌شود. علاوه بر این، حجمی که در این مرکز تولید می‌شود کوچک خواهد بود. کوچک بودن به معنی مقیاس تولید است زیرا سامسونگ بهترین تجهیزات و فناوری خود را در واقع در شهر دیگری دارد.
در این مراسم وزیر تجارت، صنعت و انرژی کره و رئیس و مدیر عامل بخش توسعه دستگاه های سامسونگ حضور خواهند داشت. سامسونگ همچنین در نظر دارد تا تولید تراشه های نسل دوم 3 نانومتری را تا سال 2023 و تراشه های 2 نانومتری را تا سال 2025 آغاز کند. این تصمیمات قطعاً برای عقب‌نشاندن غول نیمه‌رسانای تایوانی، یعنی TSMC اتخاذ می‌شوند.
گفتنی است که شرکت TSMC نیز قصد دارد تولید تراشه های 3 نانومتری مبتنی بر FinFET را اواخر این ماه یا در ماه آگوست آغاز کند. این شرکت ممکن است در سال 2025 تولید تراشه های مبتنی بر فناوری GAA را آغاز کند. فناوری 3 نانومتری سامسونگ از تکنولوژی FinFET در TSMC پیشرفته‌تر است.
حدس شما درباره تراشه جدید سامسونگ چیست؟ به نظر شما آیا سامسونگ می‌تواند بار دیگر TSMC را به چالش بکشد؟
