درحال‌حاضر TSMC و سامسونگ تنها تولیدکنندگانی هستند که به تولید تراشه با استفاده از فرایند 3 نانومتری نزدیک شده‌اند. درحالی‌که TSMC می‌خواهد به استفاده از ترانزیستورهای FinFET خود برای 3 نانومتر ادامه دهد، سامسونگ قصد دارد از معماری GAA (Gate-all-around) برای این فرایند استفاده کند. حال به‌گزارش Wccftech، مورگان استنلی از وال استریت ادعا کرده است که TSMC برنامه تولید تراشه در فرایند 3 نانومتری پیشرفته (N3e) خود را حدود یک فصل زودتر از موعد پیش‌بینی‌شده قبلی آغاز خواهد کرد.
مورگان استنلی بیان می‌کند که بازده تولید برای فرایند 3 نانومتری جدید بالاتر از حدانتظار بوده و ممکن است TSMC طراحی گره N3e را تا پایان این ماه متوقف کند. بخشی از این گزارش توسط کاربری با نام RetiredEngineer در توییتر منتشر شده است که ادعا می‌کند از منابعی دریافته که تولید حجمی برای فرایند N3e ممکن است در سه‌ماهه دوم سال 2023 به‌جای سه‌ماهه سوم آغاز شود.
طبق گزارش مورگان استنلی، چگالی منطقی فرایند 3 نانومتری پیشرفته TSMC تقریباً 8 درصد کمتر از N3 اصلی با چهار لایه EUV کمتر است. دستگاه EUV از پرتوهای فرابنفش برای کمک به ایجاد الگوهای مدار بر روی ویفرها استفاده می‌کند. با توجه به تعداد ترانزیستورهایی که امروزه در داخل یک تراشه قرار می‌گیرند، این الگوهای مدار باید مانند پرتوهایی که آن‌ها را ایجاد می‌کنند، بسیار باریک باشند.
تولید تراشه 3 نانومتری TSMC
درابتدا، بازده تراشه‌های N3 TSMC توسط رسانه‌های تایوانی بسیار پایین تصور می‌شد. این به این معنی‌ست که تعداد تراشه‌های بر روی ویفری که نتوانستند کنترل کیفیت را پشت‌سر بگذارند، بسیار زیاد بوده است. این گزارش‌ها شامل شایعه‌ای بود که بیان می‌کند برخی از مشتریان TSMC تصمیم گرفته‌اند به تراشه‌هایی که با استفاده از فرایند 5 نانومتری ساخته شده‌اند، به‌دلیل بازدهی پایین در N3 استفاده کنند.
تولید زودتر از انتظار فرایند N3e هیچ تاثیری بر تولید تراشه‌های اصلی 3 نانومتری ندارد. انتظار می‌رود TSMC تولید تراشه‌های N3 را از سه‌ماهه سوم سال جاری آغاز کرده و در سه‌ماهه اول سال 2023 به مشتریان تحویل دهد. انتظار نمی‌رود تراشه‌های ساخته‌شده با استفاده از فرایند پردازشی N3 یا N3e TSMC یا فرایند 3GAE سامسونگ در بازار تا سه‌ماهه سوم یا چهارم سال 2023 عرضه شود.
طی یک کنفرانس TSMC، مدیر اجرایی این شرکت، Dr. C.C. Wei، اعلام کرد که فرایند N3e دارای “روند بهبودیافته با عملکرد، قدرت و بازده بهتر خواهد بود.”
درحالی‌که TSMC همچنان برترین تولیدکننده تراشه در جهان است، رقیب اصلی این شرکت یعنی سامسونگ، از مشکلات متعددی رنج می‌برد. طبق گزارش‌ها، سامسونگ تحقیقات قضایی را آغاز کرده است زیرا برخی از کارمندان بخش تولید تراشه این شرکت در رسانه‌های کره‌ای متهم به اغراق در مورد بازده تراشه‌های 5 نانومتری شده‌اند.
دیدگاه شما پیرامون تولید تراشه 3 نانومتری پیشرفته TSMC، سه ماه زودتر از موعد پیش‌بینی‌شده قبلی چیست؟
