سامسونگ در جریان رویداد SAFE Forum 2026 که امروز در کره جنوبی برگزار شد، از نقشه راه جدید فناوریهای ساخت تراشه خود رونمایی کرد. این شرکت علاوه بر معرفی دو فرآیند جدید ۲ نانومتری، جزئیات اولین فناوری ۱.۴ نانومتری و زمانبندی تولید انبوه نسلهای آینده فرآیندهای ساخت خود را نیز اعلام کرد. بر اساس اعلام سامسونگ، نخستین تراشههای مبتنی بر فناوری ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۹ وارد مرحله تولید انبوه خواهند شد.
🔷 سامسونگ از برنامه توسعه فناوریهای ۲ نانومتری و ۱.۴ نانومتری خود رونمایی کرد.
🔷 تولید انبوه نخستین تراشههای ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۹ آغاز میشود.
🔷 فرآیندهای جدید +SF2P و SF2X بین سالهای ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ وارد تولید انبوه خواهند شد.
🔷 سامسونگ اعلام کرده فناوری SF2P تا ۱۵ درصد عملکرد و ۲۶ درصد بهرهوری انرژی بهتری نسبت به SF2 ارائه میدهد.
🔷 پردازنده Exynos 2600 نخستین تراشه تولیدشده با فناوری ۲ نانومتری سامسونگ است.
شین جونگشین (Shin Jong-shin)، معاون اجرایی دفتر توسعه پلتفرم طراحی Samsung Foundry، اعلام کرد توسعه فرآیند SF1.4 با برنامهریزی انجام میشود و سامسونگ قصد دارد تولید انبوه تراشههای مبتنی بر این فناوری را در سال ۲۰۲۹ آغاز کند.
وی همچنین تأیید کرد که توسعه نسل دوم این فناوری با نام +SF1.4 نیز آغاز شده و تولید انبوه آن برای سال ۲۰۳۰ برنامهریزی شده است.
سامسونگ در ابتدا قصد داشت تولید انبوه تراشههای ۱.۴ نانومتری را از سال ۲۰۲۷ آغاز کند، اما این برنامه را دو سال به تعویق انداخت تا منابع خود را روی افزایش بازده تولید فناوری ۲ نانومتری متمرکز کند.
در مقایسه با سامسونگ، انتظار میرود:
سامسونگ اعلام کرد که پردازنده Exynos 2600، که در برخی بازارها نیروی پردازشی Galaxy S26 و +Galaxy S26 را تأمین میکند، نخستین تراشهای است که با فرآیند SF2 (نسل اول فناوری ۲ نانومتری سامسونگ) تولید شده است.
همچنین انتظار میرود پردازنده Exynos 2700 که احتمالاً در سری Galaxy S27 و +Galaxy S27 در سال ۲۰۲۷ معرفی خواهد شد، با فناوری SF2P یا نسل دوم فرآیند ۲ نانومتری ساخته شود.
نقشه راه تراشه ۲ نانومتری و ۱.۴ نانومتری سامسونگ
به گفته سامسونگ، مهاجرت از فرآیند SF2 به SF2P مزایای قابلتوجهی به همراه دارد:
سامسونگ اعلام کرده است که بیش از نیمی از این پیشرفتها به لطف فناوری Design Technology Co-Optimization (DTCO) حاصل شده است؛ رویکردی که در آن طراحی تراشه و فرآیند ساخت بهصورت همزمان و با همکاری شرکتهای طراحی تراشه و توسعهدهندگان ابزارهای EDA بهینهسازی میشود.
سامسونگ همچنین از دو فناوری جدید دیگر در خانواده ۲ نانومتری پرده برداشت:
بر اساس برنامه اعلامشده، تولید انبوه هر دو فناوری بین سالهای ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ آغاز خواهد شد.
| فناوری ساخت | وضعیت | زمان تولید انبوه |
|---|---|---|
| SF2 | نسل اول ۲ نانومتری | در حال استفاده |
| SF2P | نسل دوم ۲ نانومتری | مورد استفاده در Exynos 2700 (مورد انتظار) |
| SF2P+ | نسل سوم ۲ نانومتری | ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ |
| SF2X | نسل چهارم ۲ نانومتری (ویژه HPC) | ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ |
| SF1.4 | نسل اول ۱.۴ نانومتری | ۲۰۲۹ |
| SF1.4+ | نسل دوم ۱.۴ نانومتری | ۲۰۳۰ |
سامسونگ با انتشار نقشه راه جدید خود نشان داد که همچنان قصد دارد رقابت با TSMC و Intel را در حوزه فناوریهای پیشرفته ساخت تراشه ادامه دهد. این شرکت علاوه بر توسعه نسلهای جدید فرآیند ۲ نانومتری، برنامه تولید انبوه فناوری ۱.۴ نانومتری را نیز برای سال ۲۰۲۹ تأیید کرده است؛ هرچند برای بهبود بازده تولید، این پروژه دو سال دیرتر از برنامه اولیه اجرا خواهد شد.
🔴 همچنین بخوانید: چرا بخش تراشه سامسونگ با وجود ثبت رکورد سهماهه اول، همچنان ضرر میدهد؟
به نظر شما سامسونگ میتواند با این نقشه راه، فاصله خود را با TSMC در بازار تولید تراشههای پیشرفته کاهش دهد؟
با عضویت در شبکههای اجتماعی ترنجی از آخرین اخبار فناوری باخبر شوید!
