سامسونگ که یکی از بزرگترین تولیدکنندگان نیمهرسانا در جهان محسوب میشود، از توسعه فناوری جدیدی با نام 3D Stacked FET خبر داده است. این فناوری میتواند زمینه را برای تولید تراشههای نسل آینده با ابعاد کوچکتر، تراکم بالاتر و عملکرد بهتر فراهم کند. این معماری جدید نحوه قرارگیری ترانزیستورها را تغییر میدهد و گامی مهم در عبور از محدودیتهای فعلی صنعت نیمهرسانا بهشمار میرود.
🔷 سامسونگ فناوری جدید 3D Stacked FET را برای ساخت تراشههای نسل آینده معرفی کرد.
🔷 این فناوری ترانزیستورهای n-type و p-type را بهصورت عمودی روی یکدیگر قرار میدهد.
🔷 مقاله سامسونگ در رویداد VLSI 2026 عنوان بهترین مقاله را کسب کرد.
🔷 معماری جدید میتواند تراکم ترانزیستور، عملکرد و بهرهوری انرژی را افزایش دهد.
🔷 سامسونگ هنوز زمان تجاریسازی این فناوری را اعلام نکرده است.
سامسونگ الکترونیکس در سمپوزیوم VLSI 2026 مقالهای با عنوان «نخستین نمایش ترانزیستورهای 3D Stacked FET با فاصله گیت 42 نانومتری و کانالهای نانوشیت سهلایه برای کاربردهای منطقی پیشرفته» ارائه کرد.
این مقاله در میان بیشاز 1000 مقاله ارسالی، عنوان بهترین مقاله کنفرانس را بهدست آورد و امتیاز 8.29 از 10 را کسب کرد. همچنین این دستاورد بهعنوان یکی از مهمترین دستاوردهای فنی VLSI 2026 انتخاب شد.
طی چند دهه گذشته، پیشرفت فناوری نیمهرسانا عمدتاً از طریق کوچکتر کردن ترانزیستورها انجام شده است. این روند باعث افزایش عملکرد و کاهش مصرف انرژی شده، اما اکنون صنعت به محدودیتهای فیزیکی کوچکسازی ترانزیستورها نزدیک شده است.
در معماریهای سنتی، ترانزیستورها در یک سطح دوبعدی و در کنار یکدیگر قرار میگیرند. بههمیندلیل، افزایش تعداد ترانزیستورها در فضای محدود روزبهروز دشوارتر میشود.
معماری ترانزیستورها در سالهای اخیر از طراحیهای مسطح (Planar) به FinFET و سپس Gate-All-Around (GAA) تکامل یافته است. اکنون سامسونگ گام بعدی را برداشته و دو نوع ترانزیستور n-type و p-type را بهصورت عمودی روی یکدیگر قرار داده است.
این چیدمان عمودی فضای موردنیاز روی تراشه را بهشدت کاهش میدهد و امکان قرار دادن تعداد بیشتری ترانزیستور در همان سطح را فراهم میکند.
فناوری 3D Stacked FET سامسونگ میتواند تراکم ترانزیستورها را بهطور چشمگیری افزایش دهد.
قرار دادن ترانزیستورها روی یکدیگر با چالشهای متعددی از جمله انتقال انرژی، یکنواختی تولید و تداخل الکتریکی همراه است. سامسونگ اعلام کرده برای رفع این مشکلات چند فناوری کلیدی را توسعه داده است.
سامسونگ این فناوری را با فاصله گیت 42 نانومتری بهنمایش گذاشت. فاصله گیت به فاصله میان گیتهای ترانزیستورهای مجاور اشاره دارد و یکی از شاخصهای مهم در فناوری ساخت تراشه محسوب میشود.
نتایج آزمایشها نشان دادند ویژگیهای الکتریکی ساختارهای مختلف روی ویفر از یکنواختی مناسبی برخوردار هستند. این موضوع نشان میدهد فناوری جدید میتواند در آینده برای فرایندهای ساخت پیشرفتهتر نیز مورد استفاده قرار گیرد.
سامسونگ هنوز هیچ برنامه زمانی مشخصی برای تجاریسازی فناوری 3D Stacked FET اعلام نکرده است. بااینحال، موفقیت این فناوری در یکی از معتبرترین رویدادهای صنعت نیمهرسانا نشان میدهد سامسونگ درحال سرمایهگذاری جدی روی نسل بعدی معماری تراشهها است.
درصورت موفقیتآمیز بودن فرایند تجاریسازی، این فناوری میتواند راه را برای تولید تراشههایی با عملکرد بالاتر، مصرف انرژی کمتر و تراکم ترانزیستور بیسابقه هموار کند.
فناوری 3D Stacked FET سامسونگ یکی از مهمترین دستاوردهای اخیر صنعت نیمهرسانا محسوب میشود. این فناوری با انتقال ترانزیستورها از ساختار دوبعدی به معماری سهبعدی، میتواند محدودیتهای فعلی طراحی تراشه را پشت سر بگذارد و نسل جدیدی از پردازندههای قدرتمند و کممصرف را ممکن سازد.
بهنظر شما معماریهای سهبعدی میتوانند آینده صنعت تراشه را متحول کنند و پایان دوران کوچکسازی سنتی ترانزیستورها را رقم بزنند؟
با عضویت در شبکههای اجتماعی ترنجی از آخرین اخبار فناوری باخبر شوید!
