سامسونگ که یکی از بزرگترین تولیدکنندگان نیمهرسانا در جهان محسوب میشود، از توسعه فناوری جدیدی با نام 3D Stacked FET خبر داده است. این فناوری میتواند زمینه را برای تولید تراشههای نسل آینده با ابعاد کوچکتر، تراکم بالاتر و عملکرد بهتر فراهم کند. این معماری جدید نحوه قرارگیری ترانزیستورها را تغییر میدهد و گامی مهم در عبور از محدودیتهای فعلی صنعت نیمهرسانا بهشمار میرود.
ادامه نوشته