شرکت چینی CXMT پس از آغاز تولید انبوه پلتفرم نسل پنجم DRAM و حافظه LPDDR6 در ماه سپتامبر، از پیشرفت جدیدی در فناوری حافظه رونمایی کرده است. این شرکت معماری 4F² DRAM را معرفی کرده و قصد دارد تا پایان سال، نسل جدید ماژول‌های DDR5 RDIMM مبتنی بر این فناوری را عرضه کند.
🔷 شرکت CXMT معماری جدید 4F² DRAM را معرفی کرده و عرضه DDR5 RDIMM مبتنی بر آن را تا پایان سال هدف‌گذاری کرده است.
🔷 فناوری 4F² می‌تواند تراکم حافظه را در مساحت یکسان حدود ۳۰ تا ۵۰ درصد افزایش دهد.
🔷 یکی از فناوری‌های کلیدی این معماری، ترانزیستور Vertical Surrounded Gate یا VSG برای کنترل بهتر جریان و کاهش نشتی است.
🔷 سهم CXMT از بازار جهانی DRAM در سه‌ماهه دوم ۲۰۲۶ به ۹٫۵ درصد رسیده و این شرکت در رتبه چهارم قرار گرفته است.
🔷 عرضه سریع محصول لزوماً به معنای برتری فناوری یا آمادگی برای تولید انبوه نیست و گزارش‌ها از احتمال استفاده محدود از 4F² در محصولات اولیه خبر می‌دهند.
کائو کانیو، رئیس CXMT، در کنفرانس Integrated Circuits and Chiplet که ۱۰ اکتبر ۲۰۲۶ (۱۸ مهر ۱۴۰۵) برگزار شد، معماری 4F² DRAM این شرکت را معرفی کرد. CXMT برنامه دارد نسل بعدی ماژول‌های DDR5 RDIMM مبتنی بر این فناوری را تا پایان سال روانه بازار کند.
صنعت حافظه در حال حاضر عمدتاً از طراحی‌های 6F² استفاده می‌کند که در آن هر سلول حافظه فضایی معادل شش برابر مربع حداقل اندازه ویژگی ساخت را اشغال می‌کند. معماری 4F² این مقدار را به چهار برابر کاهش می‌دهد و در نتیجه می‌تواند بدون افزایش مساحت تراشه، تراکم حافظه را حدود ۳۰ تا ۵۰ درصد افزایش دهد.
معماری 4F²
یکی از بخش‌های اصلی رویکرد CXMT، استفاده از ترانزیستور Vertical Surrounded Gate یا VSG است. این طراحی ضمن بهبود کنترل الکترواستاتیکی، جریان نشتی و اثرات کانال کوتاه را کاهش می‌دهد.
حرکت به سمت طراحی سه‌بعدی 4F² نیز می‌تواند به عبور از برخی محدودیت‌های متداول در تولید DRAM کمک کند. از جمله روش‌های مطرح‌شده، جداسازی فرایند ساخت آرایه سلول‌های حافظه از پردازش CMOS جانبی و استفاده از اتصال هیبریدی در سطح ویفر برای ایجاد ارتباطات پرسرعت است.
رئیس CXMT می‌گوید این شرکت بیش از ۳۰۰ خانواده پتنت منتشرشده مرتبط با معماری 4F² در اختیار دارد و این مجموعه را یکی از پیشروترین سبدهای پتنت صنعت در این حوزه توصیف کرده است.
افزایش حضور CXMT در بازار جهانی DRAM اهمیت برنامه‌های فناوری این شرکت را بیشتر کرده است. براساس آمار TrendForce، این شرکت در سه‌ماهه دوم سال ۲۰۲۶ از نظر درآمد DRAM در رتبه چهارم جهان قرار گرفته است.
سهم بازار CXMT از ۷٫۶ درصد در سه‌ماهه قبل به ۹٫۵ درصد افزایش یافته است. در همین دوره، سامسونگ با سهم ۳۹٫۴ درصدی در رتبه نخست قرار داشت و SK hynix و Micron نیز به‌ترتیب با سهم ۲۴٫۹ و ۲۳٫۳ درصدی بالاتر از CXMT قرار گرفتند.
در مقابل برنامه زمانی فشرده CXMT، سامسونگ رویکرد محتاطانه‌تری برای نسل بعدی DRAM در پیش گرفته است. این شرکت در رویداد ISSCC 2026 یک نمونه اولیه ۱۶ گیگابیتی با ترکیب سلول‌های 4F² و اتصال هیبریدی ویفر به ویفر معرفی کرد.
بااین‌حال، گزارش‌ها نشان می‌دهند سامسونگ فعلاً تجاری‌سازی فناوری اتصال هیبریدی را در اولویت قرار داده است. انتظار نمی‌رود این فناوری پیش از سال ۲۰۲۸ وارد بازار شود و هنوز زمان مشخصی برای ادغام 4F² اعلام نشده است.
در چنین شرایطی، برنامه CXMT برای عرضه محصول تا پایان سال بسیار فشرده به نظر می‌رسد؛ هرچند عرضه تجاری لزوماً به معنای آمادگی فناوری برای تولید انبوه در مقیاس بالا نیست.
گزارش‌ها همچنین حاکی از آن است که سامسونگ استفاده از 4F² را برای فرایند B1b خود که ظاهراً به D0a تغییر نام داده، بررسی می‌کند. شرکت SK hynix نیز روی حافظه 4F² DRAM مبتنی بر گیت عمودی یا VG کار می‌کند.
ورود جدی‌تر CXMT به بازار حافظه سرور
حرکت CXMT به سمت فناوری 4F² علاوه بر پیشرفت فنی، نشان‌دهنده تلاش جدی‌تر این شرکت برای ورود به بازار حافظه سرور است؛ بازاری که مدت‌ها در اختیار تأمین‌کنندگان بزرگ جهانی قرار داشته است.
فعالیت CXMT به‌طور سنتی بیشتر بر محصولات الکترونیکی مصرفی متمرکز بوده، در حالی که حافظه DRAM سرور به سطح بالاتری از قابلیت اطمینان و پایداری برای فعالیت شبانه‌روزی نیاز دارد.
شرکت‌های سامسونگ و SK hynix در حال حاضر جایگاه تثبیت‌شده‌ای در بازار DDR5 سرور دارند. شرکت SK hynix که در سال ۲۰۲۰ تجاری‌سازی DDR5 را آغاز کرد، در دسامبر ۲۰۲۵ نخستین شرکتی شد که یک ماژول ۲۵۶ گیگابایتی DDR5 RDIMM مبتنی بر تراشه‌های ۳۲ گیگابیتی DRAM را برای پلتفرم Xeon 6 اینتل اعتبارسنجی کرد.
شرکت سامسونگ نیز ماژول‌های DDR5 RDIMM مخصوص سرور را به‌صورت انبوه تولید می‌کند که از جمله آن‌ها می‌توان به ماژول‌های ۱۲۸ گیگابایتی DDR5-6400 اشاره کرد.
با وجود برنامه زمانی بلندپروازانه CXMT، ورود زودتر محصول به بازار لزوماً نشان‌دهنده برتری فناوری این شرکت نسبت به رقبا نیست. گزارش‌ها حاکی از آن است که محصولات آینده این سازنده چینی DRAM ممکن است فقط بخشی از فناوری 4F² را به کار بگیرند.
علاوه بر این، دستیابی به تولید انبوه با تیراژ بالا چالشی جداگانه محسوب می‌شود؛ بنابراین عرضه DDR5 RDIMM مبتنی بر این معماری تا پایان سال، به‌تنهایی نمی‌تواند نشان‌دهنده آمادگی CXMT برای تولید گسترده 4F² DRAM باشد.
معماری 4F² می‌تواند با کاهش فضای موردنیاز هر سلول، تراکم حافظه DRAM را به شکل محسوسی افزایش دهد و CXMT قصد دارد تا پایان سال نخستین DDR5 RDIMMهای نسل جدید خود را براساس این فناوری عرضه کند. بااین‌حال، سامسونگ و SK hynix نیز روی فناوری‌های مشابه کار می‌کنند و میزان استفاده واقعی CXMT از 4F² و توانایی این شرکت برای رساندن آن به تولید انبوه گسترده همچنان از عوامل تعیین‌کننده خواهد بود.
به نظر شما معماری 4F² می‌تواند جایگاه CXMT را در بازار جهانی DRAM و به‌خصوص حافظه‌های سرور به شکل محسوسی تغییر دهد؟
