با توجه به نیاز روز افزون به تراشه های ۳D NAND، افزایش ظرفیت حافظه های NAND در دراز مدت هزینه تولید را کاهش خواهد داد. شرکت Sk Hynix شروع به تولید نسل چهارم (۷۲ لایه) حافظه های ۳D FLASH NAND کرده است. در ادامه با ترنجی همراه باشید.
هاینیکس در محصولات جدید از کنترلر و فریم‌ور مخصوص خود استفاده می‌کند و تأییدیه های مخصوص آن را دریافت کرده است. به‌طور معمول بهره‌وری حافظه های جدید هاینیکس در حدود ۳۰ درصد از حافظه های ۶۴ لایه ۳D NAND FLASH سامسونگ الکترونیکس بیشتر می‌باشد و تولید این نوع حافظه‌ها از ماه June سال میلادی فعلی آغاز شده است.
هاینیکس از ناند فلش‌های نوع TLC (سلول سه سطحی) استفاده می‌کند که توانایی ذخیره سازی ۳ بیت را به ازای هر سلول دارا می‌باشد. در مقایسه با ناند فلش های MLC (سلول های چند سطحی) که می‌تواند ۲ بیت اطلاعات را به ازای هر سلول ذخیره نماید، حافظه های TLC به صرفه تر هستند و هزینه (تولید به نسبت حجم) کمتری را متحمل می‌شوند.
تعداد ستون ها (استک های ترانزیستوری) فلش های ۷۲ لایه ۳D NAND، حدود ۱٫۵ برابر بیشتر از محصولات ۴۸ لایه قبلی هستند، به گفته Sk Hynix بهره وری محصولات جدید حدود ۳۰ درصد افزایش یافته است؛ علاوه بر این هاینیکس سرعت عمل را با استفاده از طراحی مدار سریع در داخل یک تراشه دو برابر کرده است، همچنین توانایی خواندن و نوشتن حدود ۲۰ درصد افزایش پیدا کرده است.
همانطور که پیش‌تر گفتیم، شرکت هاینیکس در محصولات جدید از فریم‌ور و کنترلرهای ساخت خود استفاده می‌کند که باعث کاهش هزینه‌های نهایی و همچنین رقابتی‌شدن محصولات می‌گردد. در حال حاضر شرکت هاینیکس تولید انبوه تراشه های ۷۲ لایه ۳D NAND FLASH را طبق برنامه در ساختمان M12 در شهر چئونگ جو کره جنوبی آغاز کرده است.
هاینیکس برنامه دارد تولید تراشه های جدید را در طبقه دوم ساختمان M14 که کارخانه جدید این شرکت در شهر ایچئون کره جنوبی هست ادامه دهد ، ما انتظار داریم میزان تولید تراشه های ۳D NAND FLASH تا پایان سال جاری حدود ۵۰ درصد افزایش پیدا کند . در همین رابطه برخی نیز پیش‌بینی می‌کنند چشم‌انداز بازارهای جهانی حافظه های NAND FLASH تغییر خواهد کرد، زیرا شرکت هاینیکس موفق به تولید حافظه های ۷۲ لایه ناند فلش شده است.
دیدگاه شما چیست؟
