اخیراً محققین به موفقیت‌های امیدوار کننده‌ای در زمینه طراحی و ساخت حافظه‌های ذخیره‌سازی دست یافتند که این موفقیت‌ها می‌توانند انقلابی عظیم در صنعت تولید دستگاه‌های الکترونیکی و حافظه‌های ذخیره‌سازی ایجاد کنند. در ادامه با ترنجی همراه باشید.
دانشمندان در جدیدترین دستاورد خود موفق شدند تا از یک اتم به‌عنوان یک بیت (Bit) استفاده کنند. مجله Nature با چاپ مقاله‌ای در این زمینه نشان داد که چگونه دانشمندان به این دستاورد شگفت‌انگیز، دست پیدا کرده‌اند. آن‌ها موفق شدند تا اتم‌های هولمیوم (Holmium) را درون اکسید منیزیم قرار دهند و سپس با استفاده از تونل اسکن‌کننده‌ی یک میکروسکوپ، جریان الکتریکی را وارد اتم‌های هولمیوم کنند. آن‌ها با انجام این آزمایش توانستند جهت مغناطیسی شدن (مغناطش) اتم‌های این ترکیب را تغییر دهند.
هر یک از اتم‌های هولمیومی که طی این فرایند دچار تغییر خاصیت شده‌اند می‌توانند به‌عنوان بیت‌های ۰ و ۱ در حافظه‌های ذخیره‌سازی مورد استفاده قرار گیرند. با این کار حافظه‌های ذخیره‌سازی امروزی که در بیشتر کامپیوترها و تلفن‌های همراه هوشمند یافت می‌شوند دچار تغییر و تحولی عظیم خواهند شد. دانشمندان معتقدند که با این روش علاوه بر خواندن اطلاعات از روی این اتم‌ها می‌توان داده‌های بی‌شماری را بر روی آن‌ها نوشت. یکی از ویژگی‌های بسیار جذاب اتم‌های هلیوم آن است که این اتم‌ها می‌توانند به‌صورت گروهی در فواصل بسیار کم نسبت به هم قرار گیرند. این موضوع سبب شد تا فضاهای ذخیره‌سازی در عین داشتن چگالی بالا دارای حجم و ابعاد کوچکی باشند.
حافظه‌های ذخیره‌سازی مغناطیسی که تاکنون ساخته‌شده‌اند تنها می‌توانند گروه‌های ۳ تا ۱۲ تایی از اتم‌های ذخیره کننده اطلاعات را حمل کنند در حالی که ترکیب جدید هلیوم و اکسید منیزیم می‌تواند بی‌شمار از گروه‌های اتمی ذخیره کننده اطلاعات را حمل کند. تاکنون تصور می‌شد که دستیابی به حافظه‌های ذخیره‌سازی مغناطیسی غیرممکن باشد یا اینکه این نوع حافظه‌ها در صورت طراحی و ساخت از پایداری مناسبی برخوردار نباشند اما دانشمندان با ساخت ترکیب هلیوم و اکسید منیزیم نشان دادند که این نوع حافظه‌ها تا چه می‌توانند پایدار و قابل‌اعتماد باشند.
آندرس هنریش، مدیر مرکز علوم نانو کوانتومی در موسسه بین‌المللی علوم پایه گفت:
ما در حال بررسی علت یک پدیده بسیار جالب در هلیوم هستیم. برخلاف انتظار ما، هیچ‌گونه تأثیر مکانیکی کوانتومی بین اتم‌های هلیوم مشاهده نمی‌شود. از طرفی در تلاش هستیم تا به یک کنترل کامل نسبت به تمام رفتارهای اتم هلیوم دست پیدا کنیم چراکه بدین روش می‌توانیم امکانات جدید و شگفت‌انگیزی را برای علم نانو کوانتوم مهیا کنیم. وی ادامه داد، دستاوردهای اخیر محققان ما در زمینه تولید نسل جدید حافظه‌های ذخیره‌سازی با خاصیت مغناطیسی می‌تواند تغییراتی بنیادی در زمینه حافظه‌های ذخیره‌سازی تجاری ایجاد کند. این موضوع می‌تواند زمینه ساخت حافظه‌های مینیاتوری جدیدی را در آینده فراهم کند.
ذخیره‌سازی اتمی، موضوعی است که به نام “مرگ قانون مور” شناخته می‌شود. قانون مور بیان می‌کند که در هر ۱۸ ماه، داده‌های موجود در یک ریزتراشه (Microchip) به‌طور تقریبی ۲ برابر می‌شوند. بدیهی است که قانون مور در مورد نسل آتی حافظه‌های ذخیره‌سازی صادق نخواهد بود و بدین ترتیب می‌توان آینده‌ای روشن و کاملاً متفاوت نسب به حال را برای دستگاه‌ها و حافظه‌های ذخیره‌سازی، پیش‌بینی نمود.
