سامسونگ الکترونیکس قصد دارد فرآیند توسعه نسل بعدی فناوری بسته‌بندی تراشه سه‌بعدی خود با نام 3D Cube-H را به پایان برساند. بر اساس گزارش رسانه معتبر کره‌ای ZDNet، این غول فناوری برنامه‌ریزی کرده است تا نخستین طراحی کیت فناوری بسته‌بندی نیمه‌هادی 3D Cube-H خود را در اوایل سال آینده میلادی تکمیل کند و پس از آن، ارزیابی‌های فنی را با مشتریان بالقوه آغاز نماید.
پیشرفت در این پروژه می‌تواند فناوری مهم دیگری را در اختیار بخش تراشه‌سازی سامسونگ قرار دهد تا بتواند برای جذب پروژه‌های نسل بعدی پردازنده‌های هوش مصنوعی با رقبا به رقابت بپردازد.
فناوری فعلی سامسونگ که با نام 3D Cube-T شناخته می‌شود، از روش پیوند فشرده‌سازی حرارتی (Thermal Compression یا به اختصار TC) استفاده می‌کند؛ روشی که در آن تراشه‌های انباشته‌شده به صورت عمودی از طریق برآمدگی‌های میکروسکوپی و با استفاده از حرارت و فشار به یکدیگر متصل می‌شوند. اگرچه این رویکرد از نظر فرآیند تولید به بلوغ رسیده و بهره‌وری قیمتی نسبتاً خوبی را ارائه می‌دهد، اما با توجه به اینکه پردازنده‌های هوش مصنوعی نیازمند ارتباط سریع‌تر میان دای‌های (Die) پیچیده‌تر هستند، تراکم اتصالات داخلی آن می‌تواند به یک محدودیت تبدیل شود.
به همین دلیل، سامسونگ در حال توسعه فناوری 3D Cube-H به عنوان جایگزین نسل بعدی خود است. در این فناوری جدید، به جای تکیه بر برآمدگی‌های میکروسکوپی مرسوم، از روش پیوند هیبریدی استفاده می‌شود که پایانه‌های مسی را به طور مستقیم در میان دای‌های نیمه‌هادی به یکدیگر متصل می‌کند.
فناوری بسته‌بندی تراشه سه‌بعدی 3D Cube-H سامسونگ
غول فناوری کره‌ای در فناوری جدید خود به دنبال دستیابی به گام اتصال حدود ۶ میکرومتر (µm) است؛ رقمی که در مقایسه با فاصله حدود ۲۵ میکرومتر یا بیشتر در ساختارهای مرسوم پیوند حرارتی (TC) که در این گزارش به آن اشاره شده، فشردگی و تراکم بسیار بالاتری را فراهم می‌کند:
| ویژگی فنی | فناوری فعلی (3D Cube-T) | فناوری نسل بعد (3D Cube-H) |
|---|---|---|
| روش اتصال تراشه‌ها | فشرده‌سازی حرارتی (TC Bonding) با میکرو-بامپ | پیوند هیبریدی (Hybrid Bonding) و اتصال مستقیم مس |
| فاصله گام اتصالات (Pitch) | حدود ۲۵ میکرومتر یا بیشتر | حدود ۶ میکرومتر |
توسعه فناوری 3D Cube-H توسط سامسونگ بازتابی از تغییر رویکرد گسترده‌تر در کل صنعت نیمه‌هادی به سمت بسته‌بندی پیشرفته است؛ چرا که امروزه بهبود در فرآیند ساخت ترانزیستورها به تنهایی برای پاسخگویی به تمامی نیازهای پردازشی و عملکردی کافی نیست.
علاوه بر این، فناوری 3D Cube-H فرصتی عالی برای تقویت سبد خدمات بخش ریخته‌گری و تولید قراردادی سامسونگ محسوب می‌شود. با این حال، باید توجه داشت که نقطه عطف اوایل سال ۲۰۲۷ صرفاً یک هدف در مرحله تحقیق و توسعه و ارائه کیت به مشتریان برای ارزیابی است و نباید آن را به عنوان تعهدی برای عرضه تجاری فوری در نظر گرفت.
حرکت سامسونگ به سمت تکمیل فناوری بسته‌بندی سه‌بعدی 3D Cube-H در اوایل سال ۲۰۲۷ و کاهش فاصله اتصالات میان لایه‌های تراشه از ۲۵ به ۶ میکرومتر، گامی ضروری برای پاسخ به نیازهای سنگین پردازنده‌های هوش مصنوعی آینده است. با حذف برآمدگی‌های میکروسکوپی و اتصال مستقیم پایانه‌های مسی، سامسونگ امیدوار است بتواند جایگاه بخش تراشه‌سازی خود را در برابر رقبای بزرگی همچون TSMC تقویت کرده و سفارش‌های بیشتری را از شرکت‌های طراحی‌کننده شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی جذب کند.
به نظر شما آیا تمرکز سامسونگ بر فناوری‌های بسته‌بندی پیشرفته مانند 3D Cube-H می‌تواند فاصله این شرکت را با رقیب دیرینه‌اش یعنی TSMC در بازار تراشه‌های هوش مصنوعی کاهش دهد؟
