شرکت SK Hynix سرمایهگذاری ۵۴٫۳ تریلیون وونی، معادل حدود ۳۸٫۶ میلیارد دلار را برای ساخت دو کارخانه جدید DRAM و NAND تصویب کرده است. این سرمایهگذاری ظرفیت تولید حافظه را در بلندمدت افزایش میدهد، اما زمانبندی ساخت و تمرکز بر حافظههای HBM نشان میدهد نباید انتظار داشت این پروژهها بهزودی باعث کاهش قیمت رم مصرفی شوند.
🔷 سرمایهگذاری SK Hynix برای دو کارخانه جدید حدود ۳۸٫۶ میلیارد دلار است.
🔷 کارخانه M17 روی NAND و کارخانه Y2 روی DRAM و حافظههای نسل جدید تمرکز خواهند داشت.
🔷 نخستین اتاقهای تمیز این پروژهها در دسامبر ۲۰۲۸ و ژوئن ۲۰۲۹ آماده میشوند.
🔷 شرکت SK Hynix تجهیزات تولید را متناسب با میزان تقاضای بازار بهتدریج نصب خواهد کرد.
🔷 تمرکز بر HBM باعث میشود این سرمایهگذاری راهکاری فوری برای کاهش قیمت رم DDR5 نباشد.
هیئتمدیره SK Hynix در ۷ اوت (۱۵ مرداد) سرمایهگذاری برای دو مجموعه جدید را تصویب کرد. این شرکت ۳۵٫۲ تریلیون وون، معادل حدود ۲۵ میلیارد دلار برای کارخانه Y2 در یونگین و ۱۹٫۱ تریلیون وون، معادل حدود ۱۳٫۶ میلیارد دلار برای کارخانه M17 در چونگجو اختصاص میدهد.
این ارقام فقط هزینه ساخت تأسیسات را پوشش میدهند. طبق گزارش جدید، هزینه تجهیزات کارخانه Y2 میتواند تا ۱۲۰ تریلیون وون، حدود ۸۵٫۲ میلیارد دلار دیگر افزایش یابد و مجموع سرمایهگذاری این پروژه را به بیش از ۱۵۰ تریلیون وون، حدود ۱۰۶٫۵ میلیارد دلار برساند.
مهمترین عامل، زمانبندی پروژهها است. ساخت Y2 تازه در ژوئیه ۲۰۲۷ (تیر ۱۴۰۶) آغاز میشود و اولین اتاق تمیز آن تا ژوئن ۲۰۲۹ آماده نخواهد شد. M17 نیز اولین اتاق تمیز خود را در دسامبر ۲۰۲۸ افتتاح میکند. آمادهشدن اتاق تمیز نیز بهمعنای آغاز عرضه تراشه نیست. پس از آن، SK Hynix باید تجهیزات تولید را نصب، تنظیم و تأیید صلاحیت کند تا تولید انبوه آغاز شود.
پروژه نزدیکتر، کارخانه Y1 است که انتظار میرود حدود فوریه ۲۰۲۷ (بهمن ۱۴۰۵) تکمیل شود و نصب تجهیزات آن در سهماهه دوم همان سال ادامه پیدا کند. SK Hynix قصد دارد Y1 را به شش اتاق تمیز تقسیم کند و ظرفیت آن را تا نیمه اول ۲۰۳۰ به ۳۶۰ هزار ویفر DRAM در ماه برساند.
SK Hynix بیش از ۳۸ میلیارد دلار برای ساخت کارخانههای جدید DRAM و NAND سرمایهگذاری میکند.
موضوع مهم دیگر نوع حافظهای است که SK Hynix قصد تولید آن را دارد. کارخانه Y2 علاوهبر DRAM نسل جدید، روی حافظه پهنایباند بالا یا HBM تمرکز خواهد کرد؛ محصولی که تقاضای آن با گسترش شتابدهندهها و زیرساختهای هوش مصنوعی افزایش یافته است.
براساس اطلاعات گزارش، SK Hynix درحالحاضر حدود ۳۰ درصد ظرفیت ویفر DRAM خود را به HBM اختصاص داده و تحلیلگران انتظار دارند این سهم تا سال ۲۰۲۷ به حدود ۴۰ درصد برسد.
افزایش تخصیص ظرفیت به HBM میتواند ظرفیت دردسترس برای DRAMهای متداولی مانند DDR5 را محدود کند. بههمیندلیل، ساخت کارخانههای جدید الزاماً بهمعنای کاهش سریع قیمت حافظه مصرفی نیست.
خود SK Hynix نیز تأکید کرده که ساخت کارخانهها را طبق برنامه اصلی پیش خواهد برد، اما توسعه اتاقهای تمیز و نصب تجهیزات را بهصورت مرحلهای و متناسب با تقاضای بازار انجام میدهد. هدف شرکت از این روش، افزایش بهرهوری سرمایه است.
درواقع، SK Hynix ابتدا زیرساخت فیزیکی را آماده میکند و سپس با مشخصشدن تقاضا، برای نصب تجهیزات گرانقیمت تولید تصمیم میگیرد. بنابراین ظرفیت جدید لزوماً بلافاصله پس از تکمیل ساختمانها وارد بازار نخواهد شد.
برنامه توسعه SK Hynix راهکاری فوری برای کاهش قیمت رم DDR5 محسوب نمیشود.
SK Hynix این روند را یک «تحول ساختاری» میداند و نه صرفاً یک دوره موقت افزایش تقاضا. این شرکت با استناد به پیشبینی Omdia میگوید تقاضای DRAM و NAND تا سال ۲۰۳۰ میتواند نرخ رشد مرکب سالانه ۱۹ درصدی داشته باشد.
درمجموع، سرمایهگذاری SK Hynix نشاندهنده آمادگی این شرکت برای رشد بلندمدت تقاضای حافظه، بهخصوص در حوزه هوش مصنوعی است. بااینحال، شروع دیرهنگام تولید و تمرکز بیشتر بر HBM نشان میدهد این پروژه ۳۸٫۶ میلیارد دلاری را نمیتوان راهکاری فوری برای کمبود حافظه یا کاهش قیمت رم DDR5 دانست.
بهنظر شما، افزایش تقاضای HBM برای هوش مصنوعی تا چه زمانی میتواند بر قیمت رمهای مصرفی تأثیر بگذارد؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات بنویسید.
با عضویت در شبکههای اجتماعی ترنجی از آخرین اخبار فناوری باخبر شوید!
