سامسونگ از zHBM، zNAND-O و V10 BV-NAND رونمایی کرد؛ نسل جدید حافظه‌های هوش مصنوعی با سرعتی تا ۸ برابر بیشتر از HBM5

خلاصه خبر در یک نگاه:

🔷 سامسونگ از حافظه zHBM، zNAND-O و V10 BV-NAND در نمایشگاه FMS 2026 رونمایی کرد.
🔷 فناوری zHBM با طراحی عمودی حافظه روی شتاب‌دهنده هوش مصنوعی، تا ۸ برابر عملکرد بیشتر از HBM5 را هدف قرار می‌دهد.
🔷 حافظه zNAND-O برای دستگاه‌های Edge AI با تمرکز بر تأخیر پایین و سرعت I/O توسعه یافته است.
🔷 معماری جدید V10 BV-NAND نخستین معماری NAND با بیش‌از ۴۰۰ لایه محسوب می‌شود.

سامسونگ نسل جدید حافظه‌های هوش مصنوعی را معرفی کرد

سامسونگ در جریان نمایشگاه FMS 2026 که در شهر سانتا کلارا، ایالت کالیفرنیا برگزار شد، مجموعه‌ای از فناوری‌های جدید حافظه را برای پاسخ به نیازهای روبه‌رشد هوش مصنوعی معرفی کرد. این شرکت علاوه‌بر رونمایی از کانسپت zHBM، دو فناوری دیگر شامل zNAND-O و V10 BV-NAND را نیز به‌نمایش گذاشت و نقشه راه خود برای توسعه حافظه‌های موردنیاز زیرساخت‌های AI را تشریح کرد.

حافظه zHBM سامسونگ چیست و چه تفاوتی با HBM دارد؟

مهم‌ترین معرفی سامسونگ، فناوری Z-axis High Bandwidth Memory یا zHBM بود. برخلاف معماری متداول HBM که تراشه‌های حافظه را در کنار شتاب‌دهنده هوش مصنوعی روی اینترپوزر قرار می‌دهد، سامسونگ در zHBM حافظه را به‌صورت عمودی و مستقیماً روی شتاب‌دهنده قرار می‌دهد.

کاهش فاصله میان پردازنده و حافظه باعث می‌شود داده‌ها مسیر کوتاه‌تری را طی کنند؛ موضوعی که می‌تواند سرعت پردازش را در آموزش و استنتاج مدل‌های هوش مصنوعی افزایش دهد و درعین‌حال مصرف انرژی را کاهش دهد.

فناوری جدید zHBM سامسونگ با چیدمان عمودی حافظه روی شتاب‌دهنده هوش مصنوعی

مشخصات اعلام‌شده برای zHBM

• حدود ۸ برابر عملکرد بیشتر نسبت‌به HBM5
• بیش‌از ۱۰ برابر چگالی حافظه با استفاده از فناوری جدید اتصال ویفرها (Wafer Bonding)
• ۳ برابر بهره‌وری انرژی بهتر
• بیش‌از ۵۰ درصد کاهش مقاومت حرارتی نسبت‌به طراحی‌های متداول
• پشتیبانی از طراحی‌های سفارشی برای مشتریان و امکان افزودن اجزای اختصاصی میان حافظه و شتاب‌دهنده

سامسونگ می‌گوید این معماری می‌تواند ظرفیت حافظه را افزایش دهد و عملکرد شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی را برای کاربردهای مختلف بهبود ببخشد.

zNAND-O؛ حافظه‌ای جدید برای Edge AI

سامسونگ در کنار zHBM از zNAND-O نیز رونمایی کرد؛ راهکاری مبتنی‌بر فناوری V-NAND که برای دستگاه‌ها و سامانه‌های Edge AI توسعه یافته است.

حافظه zNAND-O برای کاربردهای Edge AI

این حافظه در نسخه‌های ۴ لایه و ۸ لایه درحال توسعه است و سامسونگ اعلام می‌کند تمرکز آن بر استفاده بهینه از فضا، افزایش سرعت ورودی و خروجی (I/O) و کاهش تأخیر است؛ ویژگی‌هایی که برای اجرای مدل‌های هوش مصنوعی در لبه شبکه اهمیت زیادی دارند.

V10 BV-NAND؛ نخستین معماری NAND با بیش‌از ۴۰۰ لایه

سومین معرفی مهم سامسونگ، V10 BV-NAND بود. این فناوری حدود ۱۳ سال پس از معرفی نخستین نسل V-NAND در سال ۲۰۱۳ عرضه شده و از معماری Bonding V-NAND بهره می‌برد.

سامسونگ اعلام کرد این نسل برای نخستین‌بار از مرز ۴۰۰ لایه عبور کرده است. فناوری اتصال ویفرها در این معماری نیز نقش مهمی ایفا می‌کند و امکان چیدمان متراکم‌تر سلول‌های حافظه را فراهم می‌کند. به‌گفته سامسونگ، این طراحی می‌تواند عملکرد خواندن، نوشتن و ورودی و خروجی را نیز بهبود دهد.

🔴 همچنین بخوانید: سامسونگ مسیر ساخت NAND هزار لایه را ترسیم کرد؛ SSDهای ۳۲ ترابایتی در راه‌اند

معماری V10 BV-NAND سامسونگ با بیش‌از ۴۰۰ لایه

زمان عرضه حافظه zHBM چه زمانی خواهد بود؟

سامسونگ هنوز برنامه‌ای برای تولید انبوه یا عرضه تجاری zHBM اعلام نکرده است. این شرکت تنها اعلام کرده که این فناوری پس از ورود HBM5 به بازار در دسترس مشتریان قرار خواهد گرفت. با توجه به اطلاعات منتشرشده، انتظار می‌رود HBM5 در سال ۲۰۲۸ عرضه شود؛ بنابراین عرضه تجاری zHBM احتمالاً پس از سال ۲۰۲۸ انجام خواهد شد.

جمع‌بندی

رونمایی هم‌زمان از zHBM، zNAND-O و V10 BV-NAND نشان می‌دهد سامسونگ درحال سرمایه‌گذاری روی نسل آینده حافظه‌های موردنیاز هوش مصنوعی است. در میان این فناوری‌ها، zHBM بیشترین جلب‌توجه را به‌دلیل معماری متفاوت و وعده ارائه عملکردی تا ۸ برابر بهتر از HBM5 به‌خود اختصاص داده است، هرچند هنوز زمان مشخصی برای عرضه تجاری آن اعلام نشده است.

به‌نظر شما، کدام‌یک از فناوری‌های جدید سامسونگ می‌تواند بیشترین تأثیر را بر آینده سرورها و زیرساخت‌های هوش مصنوعی داشته باشد؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات با ما به‌اشتراک بگذارید.