سامسونگ فاندری توسعه فناوری ساخت تراشه ۱.۴ نانومتری را دوباره آغاز کرد. این شرکت پس از تمرکز بر افزایش بازده فرآیندهای ۲ نانومتری، اکنون توسعه نسل بعدی فناوری ساخت خود را ادامه میدهد و قصد دارد تولید انبوه آن را در سال ۲۰۲۹ آغاز کند.
🔷 سامسونگ توسعه تراشه ۱.۴ نانومتری را دوباره آغاز کرده است.
🔷 این شرکت تولید انبوه این فناوری را برای سال ۲۰۲۹ برنامهریزی کرده است.
🔷 بهبود بازده فرآیند ۲ نانومتری به سامسونگ کمک کرد قرارداد ۱۶.۵ میلیارد دلاری تسلا را بهدست آورد.
🔷 اینتل و TSMC همچنان در زمانبندی تولید انبوه تراشههای ۱.۴ نانومتری از سامسونگ جلوتر هستند.
سامسونگ ابتدا تصمیم داشت تولید انبوه تراشههای ۱.۴ نانومتری را در سال ۲۰۲۷ آغاز کند، اما مشکلات مربوط به بازده تولید، این شرکت را وادار کرد برنامه خود را تغییر دهد. سامسونگ در اوایل سال ۲۰۲۵ توسعه این فناوری را متوقف کرد تا منابع بیشتری را به بهبود فرآیندهای ۲ نانومتری اختصاص دهد.
این تصمیم نتیجه مثبتی برای سامسونگ داشت. این شرکت قرارداد ۱۶.۵ میلیارد دلاری تولید تراشه AI6 تسلا را بهدست آورد. تسلا از این تراشه در خودروها، سرورهای هوش مصنوعی و رباتهای انساننمای خود استفاده میکند.
رسانه The Bell گزارش میدهد که سامسونگ توسعه تجاری فناوری ۱.۴ نانومتری را دوباره آغاز کرده است. پیشرفت مناسب فرآیندهای SF2 و SF2P به سامسونگ اجازه داد بار دیگر روی نسل بعدی فناوری ساخت خود تمرکز کند.
سامسونگ از شرکتهای Applied Materials و Lam Research خواسته است تجهیزات اختصاصی موردنیاز برای توسعه این فناوری را آماده کنند. این شرکت تجهیزات جدید را در مرکز تحقیقوتوسعه NRD-K در گیهونگ نصب میکند و از آنها برای توسعه فناوریهای فاندری و حافظه استفاده خواهد کرد.
سامسونگ فاندری توسعه فناوری ساخت تراشه ۱.۴ نانومتری را از سر گرفت؛ هدفگذاری برای تولید انبوه در سال ۲۰۲۹
🔴 همچنین بخوانید: اپل برای فرار از بحران تراشه، زودتر از سایرین به فناوری ۱.۴ نانومتری TSMC مهاجرت میکند
سامسونگ پیشتر دستگاههای پیشرفته High NA EUV شرکت ASML را در مرکز NRD-K نصب کرد. مهندسان این شرکت از این تجهیزات برای ساخت برخی لایههای تراشههای ۱.۴ نانومتری استفاده خواهند کرد.
اینتل قصد دارد تولید انبوه تراشههای ۱.۴ نانومتری را در سال ۲۰۲۷ آغاز کند. TSMC نیز تولید انبوه این فناوری را برای سال ۲۰۲۸ برنامهریزی کرده است. اگر سامسونگ برنامه فعلی خود را تغییر ندهد، حدود یک تا دو سال پس از این دو شرکت وارد مرحله تولید انبوه خواهد شد.
این گزارش همچنین نشان میدهد سامسونگ توسعه نسل بعدی حافظههای V12 NAND را ادامه میدهد. این شرکت سفارش تجهیزات لازم را ثبت کرده و قصد دارد از ساختار جدید چندویفری برای تولید این حافظهها استفاده کند. اگر برنامهها طبق انتظار پیش بروند، سامسونگ تولید انبوه این محصولات را از سال ۲۰۳۰ آغاز خواهد کرد.
سامسونگ با ازسرگیری توسعه فناوری ۱.۴ نانومتری تلاش میکند جایگاه خود را در بازار تولید تراشههای پیشرفته تقویت کند. بااینحال، اینتل و TSMC همچنان سریعتر حرکت میکنند و زودتر به تولید انبوه این فناوری خواهند رسید. در سالهای آینده مشخص خواهد شد که سامسونگ تا چه اندازه میتواند این فاصله را کاهش دهد.
با عضویت در شبکههای اجتماعی ترنجی از آخرین اخبار فناوری باخبر شوید!
