فناوری Heat Pass Block یا بهاختصار HPB شرکت سامسونگ که هماکنون در اگزینوس ۲۶۰۰ بهکار رفته است، یک راهکار عالی برای کاهش دما و بهبود ۱۶ درصدی مقاومت حرارتی این تراشه محسوب میشود. درحالیکه گزارشهایی مبنیبر تمایل سایر سازندگان تراشه به استفاده از این فناوری به گوش میرسد، جدیدترین شایعات ادعا میکنند که کوالکام قصد دارد اواخر امسال فناوری HPB را در تراشههای اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو (Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro) و نسخه استاندارد آن پیادهسازی کند.
🔹کوالکام برای کنترل دما در تراشههای جدید خود از فناوری HPB سامسونگ استفاده میکند.
🔹فناوری HPB با قرار دادن هیتسینک مسی روی دای سیلیکونی و جابهجایی رم، گرما را دفع میکند.
🔹اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو برای رسیدن به فرکانس ۵ گیگاهرتز تست میشود.
🔹خنککنندههای فعلی مانند محفظه بخار برای مهار گرمای تراشههای نسل جدید کافی نیستند.
با نگاهی به سرعت فرکانس بالای دستیافته در اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵، مشخص است که محدودیتهای حرارتی خنککنندههای غیرفعال مانند محفظه بخار (Vapor Chamber) به نقطه اشباع رسیده است و برای مهار دمای رو به افزایش، به راهکارهای پیشرفتهتری نیاز است. اگرچه لیتوگرافی ۲ نانومتری شرکت TSMC به این موضوع کمک میکند، اما بهبود فناوری ساخت بهتنهایی برای شرکتهایی که با هدف برتری بر رقبا سرعت فرکانس را بهشدت افزایش میدهند، کافی نیست.
پیشازاین شایعه شده بود که کوالکام درحال آزمایش اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو با فرکانس کاری خیرهکننده ۵.۰۰ گیگاهرتز است؛ موضوعی که نشان میدهد فناوری HPB احتمالا هماکنون در فاز آزمایشی قرار دارد.
برای آشنایی بیشتر، باید گفت که HPB اساساً یک هیتسینک مبتنیبر مس است که مستقیماً روی دای (Die) سیلیکونی قرار میگیرد و تراشه حافظه DRAM در کنار آن نصب میشود. در طراحیهای قدیمیتر، حافظه DRAM مستقیماً روی سیستمرویچیپ (SoC) قرار میگرفت که باعث ایجاد یک تله حرارتی میشد و فضای کمی برای تنفس تراشه باقی میگذاشت؛ درنتیجه فشار اصلی خنکسازی بر دوش محفظههای بخار خارجی و ورقهای گرافیتی بود.
ازآنجاییکه مس یک رسانای گرمایی عالی است، استفاده از این ساختار و جابهجایی محل قرارگیری حافظه، احتمالاً دمای تراشه را بهطور قابلتوجهی کاهش خواهد داد.
اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ با فناوری HPB سامسونگ
یک افشاگر در شبکه اجتماعی ویبو با نام Fixed-focus digital cameras مدعی شده است که هر دو مدل اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ و نسخه پرو به فناوری HPB مجهز خواهند شد. این افشاگر پیشتر اعلام کرده بود که کوالکام درحال تست تراشه ردهبالای ۲ نانومتری خود برای دستیابی به حداقل فرکانس ۵.۰۰ گیگاهرتز در هستههای قدرتمند (Performance) است.
در محیط آزمایشگاهی و بدون محدودیتهای توان یا دما، نسخه پرو احتمالاً بدون نیاز به خنککننده جامع به این فرکانسها میرسد؛ اما وقتی این تراشه به فضای فشرده داخل گوشی هوشمند منتقل شود، رفتار کاملاً متفاوتی نشان میدهد و اینجاست که فناوری Heat Pass Block وارد میدان میشود.
بهنظر میرسد استفاده از نوعی خنککننده پیشرفته برای کوالکام اجباری شده است. لازمبهذکر است که اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ موفق شده بود بر A19 Pro غلبه کند، اما در بنچمارک Geekbench 6، این پرچمدار کوالکام برای دستیابی به این موفقیت مجبور به مصرف ۶۱ درصد انرژی بیشتر بود. با اطمینان میتوان گفت که شرکت مستقر در سندیگو همین رویکرد تهاجمی در مصرف توان را برای نسل ۶ نیز درپیش خواهد گرفت که استفاده از HPB را بیشازپیش ضروری میکند.
بهنظر شما آیا افزایش فرکانس پردازنده به قیمت مصرف انرژی بالاتر و تولید گرمای زیاد، رویکرد درستی برای گوشیهای هوشمند آینده است؟
