حافظه جدید SK Hynix با ترکیب DRAM و NAND، عملکرد هوش مصنوعی موبایل را به‌طور قابل‌توجهی افزایش می‌دهد

بر اساس گزارش‌های جدید، شرکت SK Hynix درحال توسعه یک پکیج جدید حافظه با پهنای باند بالا (High-Bandwidth Storage – HBS) است که تراشه‌های DRAM و NAND را در یک ماژول فوق‌العاده کارآمد ادغام می‌کند. این نوآوری که یک دستاورد بزرگ در صنعت نیمه‌هادی محسوب می‌شود، وعده پردازش سریع‌تر داده‌ها، کنترل حرارت بهتر و بهبود چشمگیر عملکرد هوش مصنوعی را در نسل آینده گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها می‌دهد.

خلاصه و نکات کلیدی

• 🔹 فناوری جدید HBS تراشه‌های حافظه DRAM و NAND را در یک پکیج واحد ادغام می‌کند تا سرعت و کارایی را افزایش دهد.
• 🔹 این معماری از فناوری جدیدی به نام VFO برای اتصال عمودی لایه‌های حافظه استفاده می‌کند که باعث کاهش تأخیر می‌شود.
• 🔹 حافظه HBS نسبت‌به بسته‌بندی‌های سنتی، مصرف انرژی را ۵ درصد و ارتفاع پکیج را ۲۷ درصد کاهش می‌دهد.
• 🔹 این فناوری بدون نیاز به فرآیند پرهزینه TSV تولید می‌شود که به کاهش هزینه و افزایش بازدهی تولید کمک می‌کند.
• 🔹 هدف اصلی این حافظه، تقویت توانایی پردازش هوش مصنوعی در دستگاه‌های موبایل است.

فناوری جدید حافظه SK Hynix چگونه کار می‌کند؟

بر اساس گزارش وب‌سایت ETNews، شرکت کره‌ای SK Hynix انتظار دارد که این فناوری جدید عملکرد هوش مصنوعی را در گوشی‌های هوشمند به‌طور قابل‌توجهی تقویت کند. بخش کلیدی این نوآوری، فناوری Vertical Wire Fan-Out (VFO) است. VFO روشی است که اجازه می‌دهد تا ۱۶ لایه از تراشه‌های DRAM و NAND به‌صورت عمودی روی هم قرار گیرند و با یک خط مستقیم به یکدیگر متصل شوند. در این فرآیند، به‌جای استفاده از سیم‌کشی‌های منحنی که در پکیج‌های سنتی رایج است، از اتصالات مستقیم استفاده می‌شود که افت سیگنال و فاصله انتقال داده را به حداقل می‌رساند.

نتیجه این فرآیند، یک پکیج HBS با زمان پردازش داده کوتاه‌تر و بازدهی بالاتر است. این پیشرفت، بهبود پهنای باند را برای دستگاه‌های موبایل به ارمغان می‌آورد؛ دستاوردی مشابه آنچه حافظه با پهنای باند بالا (High-Bandwidth Memory – HBM) برای پردازنده‌های گرافیکی (GPU) و سرورهای هوش مصنوعی به ارمغان آورد.

حافظه جدید SK Hynix با ترکیب DRAM و NAND

کوچک‌تر، سریع‌تر و خنک‌تر: مزایای حافظه با پهنای باند بالا (HBS)

به‌گفته SK Hynix، فرآیند جدید VFO نیاز به سیم‌کشی را ۴.۶ برابر کاهش می‌دهد. علاوه‌بر این، مصرف انرژی را ۵ درصد کمتر کرده و دفع حرارت را ۱.۴ درصد بهبود می‌بخشد. این شرکت همچنین توانسته ارتفاع بسته‌بندی را ۲۷ درصد کاهش دهد که به سازندگان اجازه می‌دهد دستگاه‌های موبایل باریک‌تری بسازند که در دمای پایین‌تری کار می‌کنند.

یکی دیگر از مزایای بزرگ HBS، کاهش هزینه‌های تولید است. برخلاف HBM، این فناوری نیازی به فرآیند تولید اتصال از طریق سیلیکون (Through-Silicon Via – TSV) ندارد. فرآیند TSV شامل ایجاد حفره‌های میکروسکوپی در ویفرهای سیلیکونی برای اتصال عمودی تراشه‌هاست که بسیار پیچیده و پرهزینه است. حذف این مرحله به افزایش نرخ بازدهی تولید کمک شایانی می‌کند که برای تولید انبوه یک محصول، عاملی حیاتی است.

تأثیر HBS بر عملکرد هوش مصنوعی در تراشه‌های موبایل

ماژول HBS شرکت SK Hynix، هنگامی که با پردازنده کاربردی (Application Processor – AP) یکپارچه شود، به گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها این امکان را می‌دهد که حجم کاری سنگین مرتبط با هوش مصنوعی را بهتر مدیریت کنند. لازم‌به‌ذکر است که این شرکت پیش از این از فناوری بسته‌بندی DRAM مبتنی‌بر VFO در هدست واقعیت ترکیبی اپل ویژن پرو (Apple Vision Pro) استفاده کرده بود که نشان از بلوغ و کارایی این فناوری دارد.

به‌نظر شما آیا این فناوری می‌تواند انقلابی در قدرت پردازش هوش مصنوعی روی گوشی‌های هوشمند ایجاد کند؟