معرفی پردازندههای دسکتاپ نسل دوازدهم Alder Lake اینتل، رسماً DDR5 را وارد جریان اصلی کرده و به کاربران این امکان را میدهد تا یک DDR4 قدیمی یا پلتفرم جدید مبتنیبر DDR5 را انتخاب کنند. متأسفانه، کمبود تراشه و تأخیر در عرضه باعث شده است که حافظه جدید برای اکثر مصرفکنندگان در دسترس نباشد. علیرغم چالشهای در دسترس بودن و بلوغ پلتفرم فعلی، سامسونگ قصد دارد برنامههای آتی برای نسل بعدی حافظههای فوقسریع DDR6 خود را در نمایشگاه Tech Day 2021 بهنمایش بگذارد.
حافظههای DDR5 درحالحاضر بهعنوان فناوری پیشرو در این حوزه شناخته میشوند. آنها بزرگتر و سریعتر بوده اما متأسفانه یافتنشان نیز بسیار سخت است. از زمان معرفی استاندارد جدید DDR، اکنون با پردازندههای نسل دوازدهم Alder Lake اینتل، علاقهمندان مشتاق بودند تا هر کیت حافظه DDR5 را برای افزایش سرعت و ظرفیت حافظه در اختیار داشته باشند. در طول نمایشگاه Tech Day 2021 امسال سامسونگ، این شرکت برنامههایی را برای توسعه حافظه نسل بعدی خود فاش خواهد کرد که مطمئناً توجه افراد را بهخود جلب میکند.
DDR5 سرعت استاندارد JEDEC نسبت به حافظه DDR4 را تا دو برابر بیشتر کرده بهطوریکه از 3200 مگاترانسفر در ثانیه (MT/s) به 6400 MT/s افزایش یافت. درحالیکه DDR5 هنوز بهعنوان استاندارد JEDEC پذیرفته نشده است، سامسونگ قصد دارد بار دیگر سرعت استاندارد پیشین را با DDR6، دو برابر کرده و آن را به 12800 MT/s افزایش دهد و سرعت اورکلاک نظری آن را نیز به 17000 MT/s برساند. این استاندارد درحالحاضر در مراحل اولیه توسعه خود بوده و برای پذیرش در سال 2024 برنامهریزیشده است.
DDR6 تنها استاندارد حافظه جدید در افق پیشرو نیست. سامسونگ همچنین به توسعه بیشتر GDDR6 گرافیکمحور با استاندارد برنامهریزیشده +GDDR6 که سرعت آن تا ۲۴۰۰۰ MT/s نیز میرسد، اشاره میکند.
غول کرهای همچنین بهدنبال یکی از رقبای اصلی خود، SK Hynix است که اخیراً اولین نسخه از حافظه با پهنای باند بالا 3 (HBM3) را تکمیل کرده است. سامسونگ قصد دارد تولید HBM3 را در سهماهه دوم 2022 دنبال کند. حافظه HBM به کاربران محاسباتی با کارایی بالا (HPC) جایگزینی سریعتر، کارآمدتر و با قیمت بالاتر برای حافظه سنتی GDDR ارائه میدهد. نسل قبلی این فناوری یعنی HBM2، در پردازندههای گرافیکی سری Vega ،Radeon VII و Radeon Pro AMD و همچنین پردازندههای گرافیکی Nvidia ازجمله Titan V و Quadro GP100 استفاده شد.
مانند DDR5، حافظه DDR6 نیز تعداد کانالها را در هر ماژول افزایش میدهد. این تفاوتهای معماری و همچنین عوامل دیگری مانند زمانبندی حافظه، تأخیر، مدیریت انرژی و قابلیتهای کد تصحیح خطا (ECC)، همه عواملی هستند که در توانایی سامسونگ برای ادامهدادن به مرزهای سرعت و قابلیت اطمینان حافظه نقش دارند.
نظر شما راجعبه نمایش فناوری حافظه DDR6 سامسونگ در نمایشگاه Tech Day 2021 چیست؟