درحالحاضر TSMC و سامسونگ تنها تولیدکنندگانی هستند که به تولید تراشه با استفاده از فرایند 3 نانومتری نزدیک شدهاند. درحالیکه TSMC میخواهد به استفاده از ترانزیستورهای FinFET خود برای 3 نانومتر ادامه دهد، سامسونگ قصد دارد از معماری GAA (Gate-all-around) برای این فرایند استفاده کند. حال بهگزارش Wccftech، مورگان استنلی از وال استریت ادعا کرده است که TSMC برنامه تولید تراشه در فرایند 3 نانومتری پیشرفته (N3e) خود را حدود یک فصل زودتر از موعد پیشبینیشده قبلی آغاز خواهد کرد.
ادامه نوشته