TSMC و سامسونگ، به عنوان بزرگ‌ترین کارخانه‌های ریخته‌گری نیمه‌هادی جهان، تولید انبوه معماری3 نانومتری را در سال 2022 آغاز کردند. هر دو شرکت اکنون به دنبال توسعه لیتوگرافی 2 نانومتری در سال 2025 هستند.
با این حال، یک منبع اطلاعات ماه گذشته ادعا کرد که شرکت تایوانی در حال حاضر، در موقعیتی مناسبی برای شروع تولید نیست. در گره فرآیند 2 نانومتری خود در سال آینده. با این حال، Zhang Xiaogang معاون توسعه فرآیندهای ساخت TSMC، اخیرا این گزارش ها را رد کرد. ژانگ هفته گذشته در یک فروم عنوان کرد که “توسعه فرآیند 2 نانومتری به آرامی در حال پیشرفت است.” این مدیر اجرایی افزود که “تولید انبوه باید طبق برنامه ریزی قبلی در حدود سال 2025 امکان پذیر باشد.”
گزارش قبلی نشان می‌دهد که TSMC برای دستیابی به فناوری مطلوب با معماری ترانزیستور GAA یا (Gate All Around) در تلاش است. این شرکت از معماری FinFET در تراشه های 3 نانومتری خود استفاده کرده، بنابراین در این فناوری جدید است (سامسونگ با معماری 3 نانومتری خود به استفاده فناوری GAA روی آورد).
فناوری جدید بازده انرژی تراشه را بهبود می بخشد و در عین حال ردپای زیست محیطی آن را کاهش می دهد.به نظر می رسد TSMC مشکل لیتوگرافی جدید خود را حل کرده است. به گفته ژانگ، نسبت بازده 2 نانومتری فعلی آن (درصد تراشه های قابل استفاده تولید شده از ویفر) 90 درصد از هدف‌گذاری اولیه آن است. در حالی که این معماری به هدف‌گذاری بازده خود نرسیده است، اما شرایط خیلی هم بد نیست و این شرکت نباید برای شروع تولید انبوه 2 نانومتری در سال آینده با مشکل مواجه شود. A19 Pro اپل برای سری آیفون 17 باید اولین تراشه‌ای باشد که بر روی فرآیند 2 نانومتری آن ساخته شده است.
TSMC نیز ماه گذشته اعلام کرد که قصد دارد تولید انبوه گره فرآیند 1.6 نانومتری خود را در سال 2026 آغاز کند. سامسونگ که هنوز اولین پردازنده موبایل 3 نانومتری خود را معرفی نکرده است، ممکن است به دنبال آن باشد که با معرفی تراشه های 1 نانومتری در سال ۲۰۲۶ بر رقیب تایوانی خود غلبه کند. این شرکت کره ای در ابتدا قصد داشت تولید انبوه تراشه‌های 1 نانومتری را در سال 2027 آغاز کند اما اکنون برنامه زمانی 2026 را هدف قرار داده است.
نظر شما درباره آینده رقابت بین سامسونگ و TSMC چیست؟
