ریخته‌گری سامسونگ قرار است از فرآیندهای بهبودیافته تولید تراشه‌های ۳ و ۴ نانومتری خود، این ماه و در VLSI Symposium 2023 رونمایی کند. این رویداد از ۲۱ تا ۲۶ خرداد ۱۴۰۲ در کیوتو، ژاپن برگزار می شود. در جریان رویداد صنعت تراشه، این برند کره‌ای فرآیندهای نسل دوم ۳ نانومتری و نسل چهارم ۴ نانومتری خود را رونمایی خواهد کرد.
هر دو فرآیند جدید برای Samsung Foundry مهم هستند زیرا به آن کمک می‌کند مشتریان بیشتری را به دست آورد. فرآیند ۴ نانومتری این شرکت که برای ساخت چیپست‌های Exynos 2200 و Snapdragon 8 Gen 1 استفاده شد، مورد انتقاد بسیاری قرار گرفت، زیرا در مقایسه با فرآیند ۴ نانومتری TSMC اصلا بهینه نبود.
در نتیجه ریخته‌گری تایوان توانست سفارش‌های عظیمی برای تولید تراشه‌های اپل A16، کوالکام Snapdragon 8 Gen 2، مدیاتک Dimensity 9000 و پردازنده های گرافیکی سری RTX 4000 برند Nvidia را کسب کند.
تراشه‌هایی که با استفاده از فرآیندهای SF3 (3 نانومتری GAP) و SF4X (4 نانومتری EUV) سامسونگ Foundry ساخته می‌شوند، عملکرد و کارایی بهتری دارند.
فرآیند تولید تراشه SF3 ریخته‌گری سامسونگ از فناوری ۳ نانومتری GAP استفاده خواهد کرد. این یک نسخه بهبودیافته از فرآیند SF3E است که در نیمه دوم سال ۲۰۲۲ برای ساخت تراشه‌ها استفاده شد.
در مقایسه با SF4 (4 نانومتری EUV LPP)، گفته می‌شود که SF3 در همان توان تا ۲۲ درصد سریع‌تر یا در همان سرعت کلاک و تعداد ترانزیستور ۳۴ درصد کارآمدتر است. همچنین گفته می‌شود که ۲۱ درصد کوچکتر خواهد بود.
نسل دوم فناوری ۳ نانومتری سامسونگ برای Exynos 2500 و Snapdragon 8 Gen 4 قابل استفاده است
معمولاً، فرآیندهای تولید تراشه نسل اول سامسونگ به طور گسترده مورد استفاده قرار نمی‌گیرند، در حالی که نسل‌های بعدی توسط شرکت‌های مختلف تراشه استفاده می‌شوند. با توجه به سابقه ریخته‌گری سامسونگ، فناوری ساخت تراشه های ۳ نانومتری نسل دوم آن می‌تواند توسط حداقل یک برند بزرگ تراشه‌ساز استفاده شود. برخی شایعات ادعا می کنند که Exynos 2500 و Snapdragon 8 Gen 4 می توانند از فرآیند SF3 استفاده کنند.
نسل چهارم فرآیند ۴ نانومتری این شرکت کره‌ای، که برای استفاده در برنامه‌های محاسباتی با کارایی بالا مانند پردازنده‌های مرکزی سرور و پردازنده‌های گرافیکی طراحی شده است، در مقایسه با SF4 (نسل دوم 4 نانومتری) 10 درصد عملکرد و 23 درصد بازده انرژی بهبود یافته ارائه می‌کند.
این فرآیند جدید با گره‌های N4P (نسل دوم 4 نانومتری) و N4X (نسل سوم 4 نانومتری) TSMC رقابت خواهد کرد که به ترتیب در سال‌های 2024 و 2025 در دسترس خواهند بود.
به گفته یک منبع آگاه، SF4X ریخته‌گری سامسونگ اولین گره این شرکت در سال‌های اخیر است که با در نظر گرفتن محاسبات با عملکرد بالا ساخته شده است، که می‌تواند به این معنی باشد که انتظار تقاضای خوبی از سوی مشتریانش برای آن دارد.
نظر شما چیست؟ فکر می‌کنید ریخته‌گری سامسونگ می‌تواند با فناوری‌های جدید خود در بازار موفق شود؟
سامسونگ تو هر صنعتی قوی باشه تو صنعت ساخت تراشه و لیتیوگرافی یا همون ریخته گری(ری.ده گری) بشدت افتضاحه
از فجایع دیگرش اسنپ ۸۸۸ بود
اسنپ ۸ جن۱
بقدری این دو پردازنده مزخرف بودن که روی اسنپ ۸۱۰ رو هم سفید کردن
ی عده بچه های اینجا سنشون قد نمیده
ی زمانی گلکسی اس۴ با اگزینوس ۵ اکتا معرفی شد که نگم براتون
بعدش اس ۵ و و بعدترش اس۶
هرسه پردازنده اگزینوس با ری.ده گری ۲۸ نانومتر ۲۰ نانو متر و ۱۶ نانومتر
حتی لیتیوگرافی ۱۴ نانومترش رو ایفون ۶ اس از ۱۶ نانومتری tsmc تو کنترل دما و مصرف افتضاح تر بود
سامسونگ بخش ریخته گری و پردازنده های اشغالش رو ببنده
هیییییییچ ایراد دیگه ای نداره
دوست عزیز، شما که سنت قد میده باید یادت باشه گلکسی اس ۶ و نوت ۵ فقط با Exynos 7 Octa 7420 معرفی شد و اسنپدراگون ۸۱۰ رو خجالت زده کرد
سامسونگ توی اس ۴ خراب کرد چون تازه big.LITTLE رو استفاده کرده بود، کوالکام هم همین مشکل رو خورد با اسنپدراگون ۸۱۰ و حتی خیلی بدتر
من طرفدار تراشه اگزینوس نیستم حقیقتا و ترجیحم خرید دستگاهی با تراشه اسنپدراگون کوالکام هست اما نمیشه اینطوری هم اگزینوس رو از بیخ و بن زد
منظورتون همون پردازنده اشغالی بود که محدود به ۱۰ دقیقه فیلم برداری فورکی و دمایی که تا ۷۴ درجه میرفت بالا منظورت اون پردازنده اس؟ چون من همچین فضاحتی رو روی گلکسی اس ۶ دیدم
گوشی خودم سونی زد۵ بود
والا با زد۵ هم ۲۰ دقیقه فورکی فیلم گرفتم دماش ۵۵ بالاتر نرفت نمیدونم منظورت از خجالت زدن چیه ولی اون تعریفی که شما ازش داشتید قطعا نبوده و نیست زد۳ پلاس که فضاحت محض بود بازم دماش ۵۵ بیشتر نمیشد وقتی تحت فشار بود
به طور کلی خدمتت بگم داداش عزیزم تا گلکسی اس ۶ گوشی های سامسونگ با پردازنده اگزینوس بشدت اشغال بودن
از اس ۷ ب بعد شروع کرد به بهتر شدن باز تو نوت ۱۰ دوباره زد به جاده خاکی و افتضاح بود تا
سامسونگ اون موقع میومد برای سود بیشتر خودش گوشیای اشغال بومی سازی شده خودش با چیپست اگزینوس و سنسور ایزوسل میداد خاورمیانه و اروپا
گوشی های خوبش ک چیپ اسنپ و سنسور ای ام ایکس سونی داشتن میداد امریکا و چین
اس۳ و اس۶ اج داشتم ، اس۶اج به شدت داغ میکرد ، اس۴ هم خوشبختانه نگرفتم چون یه سال بود اس۳ رو داشتم
آره اون دستگاه داغ میشد ولی خب به شدت نه.
اس ۶ اج ضخامت خیلی کمی داشت و شیشه هم بود، تجربه عجیبی شده بود
اگر بخوای منصف باشی، داده‌های اون سال برای بررسی همه گوشی‌ها هست
گلکسی اس ۶ و نوت ۵ دستگاه‌های بسیار پایدار و خنکی بودن. مثلا شما زد ۵ سونی رو مثال می‌زنی؟ یا زد ۳ پلاس؟ زد ۳ پلاس که خود سونی توی فروشگاهش زده بود داغ میشه، دیگه حرف من و شما نیست. زد ۵ بهبود داشت اما هنوز برطرف نشد مشکل
آره اس ۷ تا اس ۱۰ اگزینوس‌های سامسونگ منطقی تر بود و با اس ۲۰ پایین‌ترین نقطه عملکردیش رو ارائه کرد
اون داستان اروپا و خاورمیانه و امریکا و چین به این اغراقی که شما میگید هم نیست اما تفاوت‌هایی هست.
به هر حال فکر می کنم سامسونگ خودش هم می دونه توی بخش تراشه یه سری مشکل داره و اس ۲۳ رو کلا بیخیال اگزینوس شد.
باز هم میگم، منم ترجیحم خرید یک دستگاه با تراشه اسنپدراگون کوالکام هست اما وقتی تاریخ‌چه این صنعت رو مرور می کنیم باید منصف باشیم
ریخته‌گری سامسونگ متاسفانه خیلی درخشان نبوده، شاید بتونه با این نسل پیشرفت کنه
آرزوم بود یه گوشی سامسونگ با پردازنده اسنپدراگون داشته باشم که تا الان قسمت نشد ، یه امسالو خوب بود که هم اسنپ ۸ نسل ۲ خیلی بهینه و خوب بود و هم سامسونگ فقط با اسنپ تولیدش کرد ولی قیمت دلار خیلی بالا رفت و آدم زورش میاد ۶۰ تومن پول گوشی بده
آره موافقم
البته اس ۲۰ اف ای ۵ جی هم خوب فروخت به خاطر همین ترکیب و قیمت خوبش
سامسونگ بهتره این کار رو نکنه چون نابود میکنه با این کار تراشه رو