هواوی تلاشهایش را در صنعت نیمههادی چند برابر کرد. به نظر میرسد این شرکت برنامههای جدی برای فناوری ۲ نانومتری دارد. یک پتنت جدید تلاشهای این غول چینی را نشان میدهد. آنها با وجود نبود ابزارهای پیشرفته، به دنبال دستیابی به این هدف بزرگ هستند.
🔵 ثبت پتنت جدید هواوی برای تولید تراشه ۲ نانومتری
🔵 جایگزینی دستگاههای DUV موجود به جای مدلهای تحریمی EUV
🔵 استفاده از تکنیک SAQP برای افزایش تراکم ترانزیستورها
🔵 کاهش هزینهها و بهبود اتصالات الکتریکی در پردازندهها
🔵 هدفگذاری هواوی برای رقابت نزدیک با TSMC
این تولیدکننده چینی اخیراً پتنتی برای فناوری تراشه ۲ نانومتری ثبت کرد. هواوی هنوز در نبرد تراشهها با چالشهایی روبرو است. با این حال، مدیران قصد دارند تا پایان سال آینده به این دوران سخت پایان دهند.
سوال اصلی اینجاست: این امر چگونه ممکن میشود؟ طبق گزارشها، هواوی امسال با تراشه Kirin 9030 تازه به مرز ۵ نانومتری رسید. جزئیات فنی پتنت، پاسخ این سوال را میدهد. بیایید آن را دقیقتر بررسی کنیم.
هواوی درخواست پتنت را با شماره CN119301758A در ۸ ژوئن ۲۰۲۲ ثبت کرد. سازمان مربوطه آن را در ۱۰ ژانویه امسال منتشر کرد. عنوان پتنت «روش یکپارچهسازی فلزی برای ساخت دستگاههای یکپارچه» است.
این اختراع بر ساخت نیمههادیهای پیشرفته تمرکز دارد. همچنین گلوگاههای الگوسازی BEOL را در مدارهای مجتمع (IC) رفع میکند.
مرحله BEOL در تراشهسازی حیاتی است. مهندسان در این مرحله لایههای فلزی را رسوب میدهند. این لایهها ترانزیستورهای مرحله FEOL را به هم وصل میکنند. سازندگان با این روش مسیرهای الکتریکی میسازند. این مسیرها سیگنالها را بین اجزا منتقل میکنند. این فرآیند در تراشههای ۲۱ نانومتری اغلب مشکلساز میشود. مشکلات معمولاً شامل تاخیر مقاومت-خازن و کاهش بازدهی است.
دکتر فردریک چن، محقق نیمههادی، این پتنت را رصد کرد. او معتقد است هواوی میتواند تراشه ۲ نانومتری بسازد. نکته مهم این است که آنها نیازی به دستگاههای پیشرفته EUV (لیتوگرافی فرابنفش شدید) ندارند. تجهیزات DUV (لیتوگرافی فرابنفش عمیق) این دستاورد را ممکن میکنند.
تحریمهای آمریکا در سال ۲۰۱۹ هواوی را از فناوریهای پیشرفته محروم کرد. در نتیجه، این شرکت با شرکتهای بومی مانند SMIC همکاری کرد. آنها در سالهای گذشته فقط به دستگاههای DUV تکیه کردند.
پتنت نشان میدهد که دستگاههای DUV موجود به «گام فلزی ۲۱ نانومتری» میرسند. این عملکرد مشابه تراشههای ۲ نانومتری رقبایی مانند TSMC است.
همکاری Huaweiو SMIC برای ساخت تراشه ۲ نانومتری
هواوی از ترکیب فناوری SAQP (الگوسازی چهارگانه خودتراز) و دستگاههای DUV استفاده میکند. این کار نوردهیهای چندگانه لیزری را کاهش میدهد. مهندسان همچنین از روش الگوسازی دو مرحلهای بهره میبرند. آنها از ماسک سخت چند متریالی برای ساخت خطوط فلزی باریک استفاده میکنند.
این فرآیند «ویاهای کاملاً خودتراز» (FSAV) را فعال میکند. این ویاها اتصالات الکتریکی قوی ایجاد میکنند و نیازی به دستگاه EUV ندارند. این روش نه تنها کارآمد است، بلکه هزینههای تراشهسازی را کاهش میدهد.
به زبان ساده، هواوی با دو متریال از خطوط مجاور محافظت میکند. آنها ساختارها را در فازی جداگانه و بدون ابزار EUV تعریف میکنند.
توجه کنید که محوریت این پتنت مستقیماً خود تراشه ۲ نانومتری نیست. تمرکز اصلی روی گامهای فلزی زیر ۲۱ نانومتر است. هدف نهایی، پوشش دامنه کاربردی نودهای ۳ و ۲ نانومتری است.
نظر شما چیست؟
هواوی نشان داد که محدودیتها مانع پیشرفت نیستند. آیا این تکنیک جدید هواوی را به صدر بازار پردازندهها برمیگرداند؟ یا چالشهای حرارتی DUV مانع موفقیت آنها میشود؟ نظرات خود را بنویسید.
