حساب کاربری ندارید؟ ثبت نام کنید

سامسونگ شگفتی‌ساز شد: نسخه سریع‌تر تراشه حافظه HBM4 با ۴۰ درصد سرعت بیشتر در راه است

سامسونگ پس از رونمایی اولیه از تراشه‌های نسل ششم حافظه با پهنای باند بالا (HBM4) در ماه گذشته، حالا قصد دارد با یک جهش بزرگ دیگر رقبا را به چالش بکشد. گزارش‌های جدید نشان می‌دهد که سامسونگ به توسعه مدل قبلی بسنده نکرده و در حال آماده‌سازی یک نسخه سریع‌تر تراشه HBM4 است که سرعتی نزدیک به ۴۰ درصد بیشتر را ارائه می‌کند. این محصول قرار است اوایل سال آینده میلادی در کنفرانسی در سانفرانسیسکو به نمایش درآید.

خلاصه و نکات کلیدی

  • 🔹جهش سرعت: سامسونگ در حال آماده‌سازی یک تراشه HBM4 جدید است که تا ۴۰ درصد سریع‌تر از نسخه قبلی خواهد بود.
  • 🔹پهنای باند خیره‌کننده: پهنای باند این تراشه به ۳.۳ ترابایت بر ثانیه (TB/s) می‌رسد (در مقایسه با ۲.۴ ترابایت در مدل قبلی).
  • 🔹زمان رونمایی: این تراشه در کنفرانس ISSCC در فوریه ۲۰۲۶ (بهمن ۱۴۰۴) در سانفرانسیسکو معرفی خواهد شد.
  • 🔹فناوری ساخت: سامسونگ از حافظه 1c DRAM استفاده کرده است که نسبت به رقبا (که از 1b DRAM استفاده می‌کنند) پیشرفته‌تر است.
  • 🔹بازگشت قدرتمند: پس از مشکلات حرارتی نسل‌های قبل، سامسونگ با طراحی مجدد ساختار و رابط کاربری، به دنبال بازپس‌گیری جایگاه خود است.

سامسونگ HBM4 جدید: سریع‌تر، بهینه‌تر و پیشرفته‌تر

سامسونگ ماه گذشته اولین تراشه حافظه با پهنای باند بالا نسل ششم (HBM4) خود را در نمایشگاه SEDEX 2025 کره جنوبی معرفی کرد. اما این شرکت برنامه‌ای برای توقف ندارد، چرا که گزارش شده یک نسخه سریع‌تر تراشه HBM4 سامسونگ توسعه یافته که اوایل سال آینده در کنفرانس بین‌المللی ISSCC رونمایی خواهد شد.

جزئیات فنی: ۳.۳ ترابایت بر ثانیه

گزارش TheElec ادعا می‌کند که سامسونگ این تراشه سریع‌تر را در نمایشگاه ISSCC از ۱۵ تا ۱۹ فوریه ۲۰۲۶ (۲۶ تا ۳۰ بهمن ۱۴۰۴) در سانفرانسیسکو، کالیفرنیا به نمایش خواهد گذاشت.

بیایید تفاوت عملکرد را مقایسه کنیم:

مدل تراشه پهنای باند (Bandwidth) میزان پیشرفت
HBM4 اولیه سامسونگ ۲.۴ ترابایت بر ثانیه
HBM4 جدید (پیشرفته) ۳.۳ ترابایت بر ثانیه +۳۷.۵ درصد

این بهبود قابل توجه ۳۷.۵ درصدی، نتیجه یک ساختار جدید و رابط کاربری کاملاً بازطراحی شده است که بهره‌وری انرژی تراشه را نیز بهبود می‌بخشد.

رقابت با SK Hynix و Micron

کیم دونگ-گیون، عضو کمیته ISSCC کره و از مدیران SK Hynix، فاش کرد که هم سامسونگ و هم SK Hynix تراشه‌های حافظه جدید خود را در سال آینده میلادی رونمایی خواهند کرد.

سامسونگ پس از آنکه در بخش HBM به دلیل مشکلات مربوط به گرما دچار عقب‌گرد شد، عملکرد تراشه‌های خود را از طریق بهبودهای مداوم طراحی ارتقا داد. ظاهراً این شرکت از 1c DRAM برای ساخت تراشه‌های HBM4 خود استفاده کرده است، در حالی که میکرون و SK Hynix از 1b DRAM استفاده کرده‌اند. این موضوع باید عملکرد بهتری را نسبت به رقبا ارائه دهد.

معرفی نسخه سریع‌تر تراشه HBM4 سامسونگ با پهنای باند ۳.۳ ترابایت بر ثانیه، نشان‌دهنده عزم جدی این شرکت برای جبران عقب‌ماندگی‌های گذشته در بازار حافظه است. استفاده از فناوری پیشرفته‌تر DRAM و بازطراحی ساختار تراشه، می‌تواند سامسونگ را دوباره به عنوان پیشرو در تأمین نیازهای فزاینده هوش مصنوعی و دیتاسنترها مطرح کند.

تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ ناجی سامسونگ می‌شود: کاهش ۳۰ دلاری هزینه تولید گلکسی S26

رقابت در سال ۲۰۲۶ بین غول‌های فناوری بسیار داغ خواهد بود. نظر شما چیست؟

اشتراک در
اطلاع از
0 Comments
قدیمی‌ترین
تازه‌ترین بیشترین رأی
بازخورد (Feedback) های اینلاین
مشاهده همه دیدگاه ها
رپورتاژ آگهی پربازده
رپورتاژ آگهی پربازده
سهیل سلیمانی