بخش نیمههادی سامسونگ بهتازگی یک سخنرانی را در KAIST (موسسه علوم و فناوری پیشرفته کره جنوبی) برگزار کرده است، جایی که یکی از رؤسای این شرکت، Kye Hyun Kyung، چشماندازی از آیندهای ارائه کرده که در آن بخش تولید تراشه سامسونگ از رقیب تایوانی خود TSMC پیش خواهد افتاد.
رئیس بخش راهحل دستگاههای سامسونگ اخیرا اعتراف کرده که فناوری تولید تراشه این شرکت «از TSMC عقبتر است». او توضیح داد که فناوری 4 نانومتری سامسونگ تقریباً دو سال از TSMC عقبتر بوده و فرآیند 3 نانومتری آنها نیز حدود یک سال از رقیب خود عقبتر است.
بااینحال، وی همچنین توضیح داد که سامسونگ اکنون یک مزیت دارد و این شرکت میتواند از TSMC پیشی بگیرد. «ما میتوانیم در عرض پنج سال از TSMC پیشی بگیریم.»
این ایده که سامسونگ میتواند طی پنج سال آینده از TSMC پیشی بگیرد، از این واقعیت ناشی میشود که سامسونگ قصد دارد از فناوری Gate All Around (GAA) در فرآیند تولید تراشه 3 نانومتری خود استفاده کند. در مقابل، TSMC پیش از رسیدن به فرآیند 2 نانومتری، از GAA استفاده نخواهد کرد و سامسونگ معتقد است که این امکان را به آنها میدهد تا با رقیب تایوانی خود برسد.
GAA فرآیندی است که میتواند سامسونگ را قادر به تولید تراشههایی کند که هم کوچکتر (45 درصد) و هم مصرف انرژی کمتر (50 درصد) نسبتبه تراشههای مبتنیبر فرآیندهایی که درحالحاضر توسط TSMC استفاده میشود، دارد. بهگفتهی مقام ارشد سامسونگ، «واکنش مشتریان به فرآیند GAA 3 نانومتری سامسونگ الکترونیک خوب است.»
نکته جالب این است که Kye Hyun Kyung همچنین بیان میکند سامسونگ انتظار دارد که نیمههادیهای حافظه در توسعه سرورهای هوش مصنوعی اهمیت بیشتری پیدا کنند و بر پردازندههای گرافیکی NVIDIA برتری داشته باشند. بهگفتهی وی، سامسونگ «اطمینان حاصل خواهد کرد که ابررایانههای نیمههادی محور حافظه تا سال 2028 عرضه شوند.»
سایر گزارشهای اخیر ادعا میکنند که سامسونگ بازده 4 نانومتری خود را تا حدی بهبود داده و دو مشتری اصلی AMD و Google را بهسوی خود جذب کرده است. طبق گزارشها، غول فناوری کرهای تراشه Tensor G3 گوگل را براساس فناوری 4 نانومتری نسل سوم خود تولید خواهد کرد. همچنین شایعه شده که تراشه Exynos 2400 نیز ممکن است بر روی یک فرآیند پیشرفته 4 نانومتری ساخته شود.
نظر شما درباره پیشی گرفتن سامسونگ از رقیب اصلی خود طی پنج سال آینده چیست؟