کمپانی سامسونگ به‌تازگی از اولین تراشه‌های رم DDR5 DRAM دنیا رونمایی کرده است که با استفاده از فرایند 12 نانومتری ساخته شده‌اند. این شرکت با معرفی تراشه‌های 16 گیگابایتی DDR5 DRAM خود بیان می‌کند که آن‌ها ازنظر سازگاری با پردازنده‌های Zen AMD ارزیابی شده‌اند.
تراشه‌های جدید بازده انرژی بیشتری دارند و 23 درصد عملکرد بالاتری نسبت‌به تراشه‌های DRAM نسل قبلی ارائه می‌دهند. این شرکت کره‌ای همچنین بیان می‌کند که این جهش تکنولوژیکی را با استفاده از مواد با کیفیت بالا که ظرفیت سلول را افزایش می‌دهد، ممکن ساخته است. سامسونگ همچنین از فناوری اختصاصی خود برای بهبود مدارهای حیاتی استفاده کرده است.
تراشه‌های جدید DDR5 DRAM این شرکت از لیتوگرافی پیشرفته و چندلایه برای بالاترین چگالی قالب در صنعت استفاده می‌کنند و بهره‌وری ویفر 20 درصد بالاتری را ارائه می‌دهند. این تراشه‌ها قادر به انتقال اطلاعات تا 7.2 گیگابیت برثانیه هستند که معادل پردازش دو فیلم 30 گیگابایتی 4K تنها در یک ثانیه است.
اولین حافظه رم DDR5 با فرایند 12 نانومتری سامسونگ
سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های DDR5 DRAM با فرایند 12 نانومتری خود را در اوایل سال 2023 آغاز خواهد کرد. ما می‌توانیم انتظار محصولات مبتنی‌بر این تراشه‌های DRAM را در سه‌ماهه چهارم سال 2023 داشته باشیم.
Jooyoung Lee، معاون اجرایی محصول و فناوری DRAM در سامسونگ الکترونیکس، پیرامون معرفی اولین حافظه رم DDR5 با فرایند 12 نانومتری بیان کرد: «حافظه رم جدید DRAM با فرایند تولید 12 نانومتری ما یک عامل کلیدی در پذیرش DRAM DDR5 در بازار خواهد بود. با عملکرد استثنایی و بهره‌وری انرژی، انتظار داریم DRAM جدید ما به‌عنوان پایه‌ای برای عملیات پایدارتر در زمینه‌هایی مانند محاسبات نسل بعدی، مراکز داده و سیستم‌های مبتنی‌بر هوش مصنوعی عمل کند.»
درنهایت، دیدگاه شما پیرامون معرفی اولین حافظه رم DDR5 سامسونگ با فرایند تولید 12 نانومتری و سرعت انتقال داده‌ی بسیار بالا چیست؟
