عرضه چیپست های ۳ نانومتری GAA سامسونگ ابتدا توسط این شرکت آغاز می‌شود

در دنیای تراشه‌های موبایل، دو شرکت مهم و بزرگ وجود دارند که وظیفه تولید تراشه‌ها را بر عهده گرفته‌اند. این دو شرکت، TSMC و سامسونگ هستند. گرچه انتظار می‌رفت تراشه‌های ۳ نانومتری TSMC زودتر آغاز شود، اما گویا عرضه چیپست های ۳ نانومتری GAA سامسونگ ابتدا توسط این شرکت آغاز می‌شود. با ترنجی همراه باشید.

عرضه چیپست های ۳ نانومتری GAA سامسونگ ابتدا توسط این شرکت آغاز می‌شود

در حال حاضر، قانون مور، یعنی همان نتایجی که توسط نیمه رساناهای گوردون مور انجام شده است، همچنان زنده و پابرجاست است. مور، یکی از بنیانگذاران Fairchild Semiconductor و Intel، در ابتدا در سال ۱۹۶۵ گفت که تعداد ترانزیستورهای داخل یک مدار مجتمع (IC) هر سال دو برابر بیشتر می‌شود. او بعدا در دهه ۱۹۷۰ با بیان اینکه تعداد ترانزیستورها در هر سال دو برابر می‌شود، این موضوع را اصلاح کرد.

گره فرآیندی یا فرآیند ساخت (Process Node) که توسط تراشه سازها برتر جهان مانند TSMC و سامسونگ برای ساخت تراشه‌های پیشرفته استفاده می‌شود، ایده‌ای از نحوه عملکرد قانون مور را به ما می‌دهد. هر چه فرآیند تولید کوچک‌تر باشد، تعداد ترانزیستورهایی که می‌توانند در داخل یک مدار مجتمع یا یک IC قرار بگیرند، بیشتر است و این موضوع بسیار مهم است، زیرا هرچه تعداد ترانزیستورها بیشتر باشد، یک تراشه قدرتمندتر و کارآمدتر است.

سامسونگ در سال ۲۰۱۶، عرضه چیپست‌های ۱۰ نانومتری خود را آغاز نمود و در سال ۲۰۱۸ نیز تولید انبوه چیپست‌های ۷ نانومتری خود را آغاز کرد. تا سال ۲۰۲۰، سامسونگ تولید انبوه چیپست‌های ۵ نانومتری را نیز آغاز کرد و اکنون سامسونگ (به گفته wccftech) اولین شرکتی است که عرضه چیپست‌های ۳ نانومتری GAA را حتی زودتر از رقیب مهم خود یعنی TSMC، آغاز کرده است.

حالا سامسونگ نه تنها اولین شرکتی است که تراشه‌های ۳ نانومتری را ارائه می‌کند، بلکه حتی اولین شرکتی است که این تراشه‌ها را به ترانزیستورهای GAA یا Gate All Around تجهیر و عرضه می‌کند. با فناوری GAA، کنترل بیشتری بر جریان تراشه وجود دارد که منجر به راندمان بهتری در مصرف انرژی می‌شود. TSMC هنوز از نسل قبلی طراحی ترانزیستور FinFET برای چیپست‌های ۳ نانومتری خود استفاده می‌کند که در نیمه دوم سال جاری، عرضه آن‌ها را آغاز خواهد کرد.

این شرکت تایوانی مستقل و پیشرو در جهان، استفاده از فناوری GAA را با تولید تراشه‌های مبتنی بر فرآیند تولید ۲ نانومتری خود آغاز خواهد کرد و امیدوار است در سال ۲۰۲۶، عرضه و تحویل آن به مشتریان را آغاز کند. سامسونگ آنقدر مشتاق شکست TSMC با عرضه چیپست‌های ۳ نانومتری خود بود که حتی این شرکت مراسمی را در Hwaseong خود در Gyeonggi-do برگزار کرد و در آن چندین مدیر سامسونگ و سیاستمداران کره‌ای حضور داشتند. اولین دسته از تراشه‌های ۳ نانومتری برای تولیدکنندگان گوشی‌های هوشمند عرضه نمی‌شود. در عوض، سامسونگ آن‌ها را در تجهیزاتی که توسط استخراج‌ کنندگان ارزهای دیجیتال استفاده می‌شوند، به کار خواهد گرفت.

فناوری GAA جدید در تراشه‌های ۳ نانومتری امکان کاهش مصرف انرژی زیادی را برای این تراشه‌های فراهم می‌کند. در نهایت، فرآیند تولید ۳ نانومتری GAA برای تولید تراشه‌های گوشی‌های هوشمند از جمله اگزینوس ۲۳۰۰ خود سامسونگ و احتمالا تراشه‌های اسنپدراگون ۸ نسل ۲ کوالکام استفاده خواهد شد. فرآیند تولید ۳ نانومتری GAA در مقایسه با فرآیند تولید ۵ نانومتری، مصرف انرژی را تا ۴۵ درصد کاهش می‌دهد و عملکرد آن را نیز تا ۲۳ درصد افزایش می‌دهد.

به گفته PhoneArena، انتظار می‌رود نسل دوم تراشه‌های ۳ نانومتری GAA مصرف انرژی را تا ۵۰ درصد کاهش دهد و عملکرد را نیز تا ۳۰ درصد افزایش دهد. به بیان ساده‌تر و قابل فهم‌تر، چیزی که برای کاربران نهایی رخ می‌دهد، در دسترس بودن گوشی‌های قدرتمندتر با عمر باتری بهبود یافته‌تر است. سامسونگ در بیانیه‌ای گفت که در بیست و پنجمین روز، شرکت Samsung Electronics مراسم عرضه محصولات نیمه رسانا ۳ نانومتری خود را با استفاده از فناوری نسل بعدی ترانزیستور GAA یا Gate All Around در خط V1 (فقط EUV) در Hwaseong واقع در Gyeonggi-do برگزار کرد.

این رویداد با حضور حدود ۱۰۰ نفر از جمله وزیر تجارت، وزیر صنعت و انرژی چانگ یانگ لی، تامین کنندگان، رئیس بخش Samsung Electronics DS این شرکت یعنی Kyeong-hyeon Kye و مدیران و کارمندان سامسونگ برگزار شد و مدیران و کارکنان شرکت کننده در آن، تحقیق، توسعه و تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری با فناوری GAA را تحسین کردند.