کمپانی تایوانی سازنده تراشه، TSMC، به‌تازگی آخرین فناوری نیمه‌هادی خود را در سمپوزیوم فناوری آمریکای شمالی معرفی کرده است. N2 درواقع نسل بعدی معماری پیشرفته N3 و N3E FINFLEX است که بر اساس آن تراشه های موردانتظار 3 نانومتری TSMC که شایعه می‌شود در سال 2023 به تولید انبوه خواهند رسید، ساخته می‌شوند. بااین‌حال، TSMC ادعا می‌کند که N2 با بهره‌وری انرژی بیشتر، سریع‌تر از نمونه‌های قبل خواهد بود.
TSMC ادعا می‌کند که آماده است تا سال 2022 معماری تراشه 3 نانومتری خود را برای دستگاه‌های درجه‌یک به تولید انبوه برساند، اگرچه اکنون تقریباً نیمه دوم سال سپری می‌شود و هنوز واقعاً این کار را انجام نداده است.
اکنون پیش‌بینی می‌شود N2 از جایی‌که N3 و ارتقاهای تکراری آن یعنی N3E ،N3P و N3X متوقف می‌شوند، شروع شود، که ممکن است این اتفاق تا سال 2025 رخ ندهد. بنابراین، چیپست‌های رده‌بالا که از فناوری TSMC بهره می‌برند، تا آن زمان ممکن است از فرایند 3 نانومتری استفاده کنند. این شرکت همچنین اکنون تأیید کرده است که همه‌ی تراشه‌های جدید این شرکت، بر اساس ترانزیستورهای FINFLEX خواهند بود.
معماری تراشه مبتنی‌بر نانوصفحات N2 و N3 FINFLEX کمپانی TSMC
همان‌طور که از نام آن پیداست، FINFLEX شکلی از FinFET است درحالی‌که سامسونگ اکنون به‌دنبال ارائه تراشه 3 نانومتری GAAFET می‌باشد. بااین‌حال، TSMC ادعا می‌کند که این تفاوت آن‌ها را قادر می‌سازد تا مجموعه متنوع‌تری از انواع تراشه‌های پیشرفته را تولید کند.
ظاهراً سازنده قادر به تولید ویفرهایی با پیکربندی‌های متعدد شامل 3-2، 2-2 و 2-1 است که چگالی‌های متفاوتی را ارائه می‌دهند و بنابراین، تعادل متفاوتی از عملکرد نسبت به مصرف انرژي را دارند. برای مثال، N3E 3-2 درحال‌حاضر برای افزایش سرعت 33 درصد نسبت به N5 2-2 درحالی‌که 12 درصد انرژی کمتری نیز مصرف می‌کند، ارائه شده است، درحالی‌که همین ارقام برای 2-1 به‌ترتیب +11٪ و -30٪ است.
این موضوع همان‌طور که TSMC می‌گوید، پتانسیل دسترسی بیشتر به فرایند 3 نانومتری برای موارد استفاده بیشتر را پس از عرضه نهایی آن افزایش داده و همچنین هسته‌های ارتقایافته با عملکرد بهبودیافته یا افزایش راندمان انرژی در همان پردازنده‌های پیشرفته جدید را بهبود می‌بخشد که درنتیجه می‌تواند انعطاف‌پذیرتر و پویاتر باشد.
علاوه‌بر این، به‌لطف ردپای N3، هسته‌های بیشتری نیز وجود خواهد داشت. از سوی دیگر، TSMC اکنون به‌تازگی تأیید کرده است که N2 با استفاده از تکنیک فرآیند “نانوصفحات” ساخته خواهد شد و بنابراین، احتمال اینکه به GAAFET تغییر یابد، بیشتر است.
تراشه‌های 2 نانومتری به‌دست‌آمده می‌توانند 10 تا 15 درصد سریع‌تر از N3 با همان قدرت باشند، یا 25 تا 30 درصد انرژی بیشتری را با همان قدرت حفظ کنند. علاوه‌بر این، TSMC همچنین درحال برنامه‌ریزی «نوعی از N2 با عملکرد بالا» است.
نظر شما پیرامون معماری تراشه مبتنی‌بر نانوصفحات N2 و N3 FINFLEX کمپانی TSMC چیست؟
