طبق آخرین گزارشهای منتشرشده، سامسونگ نهتنها در تولید انبوه فرآیند 4 نانومتری تراشههای خود با مشکلات جدی مواجه است، بلکه سازنده کرهای دشواریهای بیشتری را با فرآیند 3 نانومتری GAA خود نیز تجربه میکند. با این رویه، میتوان حدس زد که شرکتهایی مانند کوالکام و مدیاتک در آینده توسعه چیپستهای خود را به سامسونگ سفارش ندهند.
گزارشی از Business Post، پیشرفت سامسونگ با فناوری 3 نانومتری GAA را شرح میدهد. متأسفانه، نرخ بازدهی این فرآیند بهتازگی بین 10 تا 20 درصد رسیده است. این غول کرهای با فرآیند 4 نانومتری خود که برای تکمیل سفارشهای اسنپدراگون 8 نسل 1 کوالکام استفاده شده، با نرخ بازدهی حدود 35 درصد، نتایج بهتری داشته است.
نرخ بازدهی 35 درصدی در مقایسه با پیشرفت TSMC که 70 درصد گزارش شده، یک شکست بهتمام معناست که توضیح میدهد چرا کوالکام سفارشهای اسنپدراگون 8 نسل 1 پلاس خود را به شرکت تایوانی منتقل کرده است. نسل دوم فرآیند 3 نانومتری سامسونگ در سال آینده برای مشتریان آماده خواهد شد، اما اگر نرخ بازده بالا نرود، کوالکام چارهای جز استفاده از TSMC برای نسل بعدی اسنپدراگون 8 Gen 2 خود نخواهد داشت؛ حتی اگر به معنای پرداخت حق بیمه باشد.
منابع بر این باورند که فرآیند 3 نانومتری GAA سامسونگ ابتدا برای تولید انبوه سیلیکون داخلی این شرکت که میتواند خط تولید جدید اگزینوس بر اساس این فناوری باشد، استفاده خواهد شد. پیشتر گفته شده بود که سامسونگ درحال کار بر روی یک سری کاملاً جدید اگزینوس برای گوشیهای هوشمند گلکسی آینده است، اما درحالحاضر تأیید نشده که آیا آنها از فرآیند 3 نانومتری GAA بهره میبرند یا خیر.
تاکنون هیچ صحبتی در مورد اینکه TSMC نیز درهنگام مهاجرت به سمت فناوری ترانزیستور GAA با مشکلات مشابه سامسونگ مواجه خواهد شد، وجود ندارد؛ اما اگر از گذشته و حال نشانهای وجود داشته باشد، سازنده تایوانی همیشه تراشههای باکیفیت بهتری نسبت به رقیب کرهای خود در زمینهی تراشه، توسعه داده است. تعجبآور نیست که ببینیم غولهایی مانند اپل همچنان سفارشهای انبوه خود را به TSMC میسپارند.
فرآیند 4 نانومتری TSMC که هماکنون در تراشه Dimensity 9000 مدیاتک استفاده شده، درحالحاضر سریعترین چیپست گوشیهای هوشمند اندرویدی موجود است که بهطور مستقیم نشان میدهد که چگونه یک فرآیند تولید برتر میتواند در عملکرد و بهرهوری انرژی مزایایی داشته باشد.
نظر شما پیرامون مشکلات سامسونگ در تولید تراشه با فرآیند 3 نانومتری GAA و بازدهی پایین این فرآیند چیست؟