نقشه راه سامسونگ برای تولید چیپست های 3 نانومتری تا سال 2022 منتشر شد

زمانی بود که فرکانس چیپست ها با اهمیت بودو رسیدن کلاک هسته های پردازنده مرکزی (CPU) به 2 گیگاهرتز یک موضوع تعجب برانگیز به شما می رفت. پس از آن فاکتور تعداد هسته ها برجسته تر شد و در نهایت برخی که حرفه ای تر بودند به بنچمارک ها نگاه می کردند! حالا دوره آن سنجش ها کم رنگ شده و یک فاکتور جدید به اسم معماری ساخت چیپست اضافه شده است. بله، هر چه به جلوتر می رویم فاکتورهای پیشرفته تری تفاوت را مشخص می کنند، مثل دوربین ها که قبلا مگاپیکسل بیان کننده همه چیز بود اما حالا سایز پیکسل ها و فناوری های ویژه فوکوس و …! حالا و پس از ارایه نسل دوم معماری 10 نانومتری در اسنپدراگون 845، اگزینوس 9810 و اپل A11 بایونیک و به گوش رسیدن زمزمه های چیپست های 7 نانومتری برای سال 2018 ٰوقت آن است که درباره معماری های پیشرو تر 5، 4 و 3 نانومتری صحبت کنیم. نقشه راه سامسونگ برای تولید چیپست های 3 نانومتری تا سال 2022 منتشر شده و در ادامه با ترنجی همراه باشید تا نگاهی داشته باشیم به این اطلاعات که به صورت رسمی منتشر شده است.

هفته گذشته، سامسونگ سالانه انجمن ساخت چیپست خود را در ایالات متحده برگزار کرد. در این رویداد، این شرکت نقشه راه را به نمایش گذاشت که فناوری پردازش آن را به 7nm Low Power Plus، 5nm Low Power Early و 3nm Gate-All-In-Early / Plus می رساند. اولین پردازنده ی سامسونگ  با معماری 7 نانومتری LPP خواهد بود که از یک راه حل لیتوگرافی EUV استفاده کند و در نیمه دوم امسال باید آماده تولید شود. تولید انبوه قطعات با استفاده از فرآیند جدید در نیمه اول سال 2019 آغاز خواهد شد. این اتفاق زمانی رخ می دهد که شرکت رقیب (TSMC) تولید انبوه قطعات را با استفاده از گره 7nm + (همچنین با استفاده از لیتوگرافی EUV) آغاز کند و تولید ریسک گره 5 نانومتری خود را شروع کند.

تراشه های مبتنی بر معماری 5 نانومتری LPE سامسونگ مصرف انرژی فوق العاده کم را ارایه می کنند و آخرین تراشه که از فناوری FinFET برای توسعه اش استفاده می شود چیپست های با معماری 4nm Low Power Early / Plus خواهد بود. تراشه های ساخته شده با این تکنولوژی فرایند عملکرد بهبود یافته و اندازه سلول کوچکتر را ارایه می دهد. این دو در سال 2019 و 2020 تولید خواهند کرد. ابتدای سال جدید میلادی، ما از کره گزارش دادیم که سامسونگ موبایلی با چیپست 7 نانومتری Snapdragon 855 را تولید خواهد کرد که احتمالا سامسونگ گلکسی اس 10 (Galaxy S10) باشد.

انتظار نمی رود تولید چیپست های 3 نانومتر تا سال 2022 آغاز شود.

سامسونگ برای گره 3 نانومتری، معماری MBCFET نسل بعدی (GAA (Gate all-around خود را (FET چند پلکان) به کار خواهد برد. انتظار نمی رود تولید چیپست های 3 نانومتر تا سال 2022 آغاز شود. در نظر داشته باشید که با کوچکتر شدن اندازه گره، تراشه هایی که با استفاده از این فرآیند تولید می شوند، قدرتمند تر و کارآمد هستند.

شما چطور فکر می کنید؟ چیپست ها هر سال قدرتمند تر و کم مصرف تر می شوند اما آرزوی ما برای عمر باتری بهتر تحقق پیدا نمی کند! باشد که چیپست های 3 نانومتری بتوانند تا سال 2022 این آرزو را محقق کنند.